甬矽电子:拟出资不超过22亿元投建高密度及混合集成电路封装测试项目

此次项目的实施,将有助于提升公司在先进封装测试工艺包括FC类产品的竞争优势,满足客户群对于先进封测工艺日益增长的需求,有效缓解公司的产能及交期压力,并为公司后续承接高端产品订单奠定基础。该投资项目符合公司整体的发展战略,有利于扩大公司在集成电路封测行业的市场规模,提升公司的核心竞争力。

俄罗斯计划2027年量产28nm芯片,2030年量产14nm芯片

据俄媒《生意人报》当地时间周三报道,俄罗斯工业和贸易部提出了微电子发展路线图。报道称,当前该国的微电子企业可生产 130nm 制程产品,最新的目标是 2026 年量产 65nm 芯片节点工艺、2027 年在本土制造 28nm 芯片、2030 年则量产 14nm。

CSPT 2023议程|“敢”字为先,谋封测产业新发展

本次年会以“‘敢’字为先,谋封测产业新发展”为主题,将邀请政府领导及业界知名专家学者和企业家阐述我国半导体产业政策和发展方向,并对先进封装测试技术、特色封测工艺技术、封装测试设备、汽车电子芯片及功率化合物半导体封装测试技术等行业热点问题进行研讨,敬请您的积极参与。

台积电推出3Dblox 2.0标准,促进3D芯片架构设计

台积电指出,这次推出的3Dblox 2.0能够探索不同的3D架构,塑造创新的早期设计解决方案,提供功耗及热能的可行性分析研究。3Dblox 2.0将可以让设计人员能够在完整的环境中,将电源域规范与3D物理结构放在一起,并进行整个3D系统的电源和热模拟。

通富微电:公司可能会面临行业触底阵痛

短期来看,通富微电2023年生产经营“挑战与机遇”并存,挑战是通富微电可能会面临行业触底过程中的阵痛,机遇是行业新技术(Chiplet等先进封装新技术)、新应用(ChatGPT等人工智能新应用)带来的广阔发展空间。

三星推FO-PLP 2.5D先进封装技术追赶台积电

韩媒Etnews报道,三星为了追上台积电先进封装人工智能 (AI) 芯片,将推出FO-PLP的2.5D先进封装技术吸引客户。三星DS部门先进封装( AVP) 团队开始研发将FO-PLP先进封装用于2.5D芯片封装,可将SoC和HBM集成到硅中介层,构建成完整芯片