中科院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
据中国科学院微电子研究所官微消息，针对高密度集成带来的功耗显著增加、散热困难等技术挑战，微电子所EDA中心多物理场仿真课题组构建了芯粒集成三维网格型瞬态热流仿真模型，能够实现Chiplet集成芯片瞬态热流的高效精确仿真，为芯粒异构集成温度热点检测和温感布局优化奠定了核心技术基础。同时，课题组在集成芯片电热力多物理场仿真方面进行布局，开展了直流压降、热应力和晶圆翘曲仿真等研究工作。
2.5/3D量产方案：华封科技推出国内最高精度贴片机——仙女座"（AvantGo A2）1.5微米精度刷新公司保持记录
2024年3月SEMICON展会期间推出最新一代贴片机——"仙女座"（AvantGo A2），进一步提升速度、精度、效率和稳定性，助力先进封装（倒装、2.5/3D、晶圆级/面板级封装、玻璃基板等）量产，快速满足算力芯片的如期出货。
中国团队成功研发65000通道脑机接口芯片
全国人大代表、武汉高德红外股份有限公司董事长黄立介绍，他带领中华脑机接口公司团队成功研发65000通道双向的脑机接口芯片，居于国际领先水平
新质生产力，是一种怎样的生产力
新质生产力代表先进生产力的演进方向，是由技术革命性突破、生产要素创新性配置、产业深度转型升级而催生的先进生产力质态
OpenAI估值飙升800亿美元
Sam Altman的志向不仅仅局限于软件领域，他还寻求建立一家专注于人工智能芯片制造的新企业。该举措旨在增强全球芯片产能，并有可能加速人工智能工具的开发。然而，由于潜在的反垄断担忧和国家安全影响，获得美国政府批准此类合资企业可能具有挑战性。
三星正在试产第二代3nm
据Chosun援引未具名的行业消息人士报道 ，三星代工厂已开始采用其 二代 3 纳米级工艺技术（称为 SF3）试生产芯片
北方华创国产12英寸HDPCVD设备进入客户生产线
近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证
在光子芯片上减慢光速！中国科学家找到新方法
中国科学院深圳先进技术研究院、先进集成技术研究所副研究员李光元团队，提出在光子芯片上减慢光速新方法，有望极大地提高慢光光子芯片器件的性能，并在光传感、光通信、光计算和光缓存等领域获得广泛的应用，也将为慢光技术研究提供新思路
首个石墨烯制成的功能半导体问世
测量表明，石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍，该项突破为开发全新电子产品打开了大门。研究发表在《自然》杂志上
SK海力士将在CES2024向全世界展示AI存储器领导力
在CES2024，公司将重点突出‘以存储器为中心（Memory Centric*）’的未来发展蓝图。向全世界展示，AI时代技术发展所带来的半导体存储器重要性，与此同时展现公司在该领域的全球市场领先竞争力量
国产半导体12英寸超精密晶圆环切设备研发成功
2023年12月29日上午，由宁波芯丰精密科技有限公司研发的首台国产半导体12英寸超精密晶圆环切设备正式交付
提高芯片信号传输性能，华为公开封装专利
近日华为技术有限公司新增多条专利信息，其中一条名称为“芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法”，公开号为CN117256049A
国芯科技推出全国产RAID卡解决方案CCUSR8116
近期，苏州国芯科技股份有限公司（以下简称“公司”）的全资子公司广州领芯科技有限公司（以下简称“广州领芯”） 基于自研RAID芯片CCRD3316,正式推出全国产RAID卡解决方案CCUSR8116
持续性能优化，从容应对挑战——澜起科技全新第五代津逮®CPU上市
12月18日，澜起科技于今日正式向外界发布其全新第五代津逮®CPU，旨在以多方面的性能优化应对AI、HPC、数据服务、网络/5G、存储等严苛工作负载的挑战
DNP成功研发3nm EUV微影用光罩
日本DNP宣布已研发出3nm EUV微影用光罩，2030年营收目标为100亿日元，且今后也将和imec等伙伴合作、推动2nm以后的光罩研发
3D堆叠、背面供电、背面触点，英特尔展示前沿晶体管微缩技术突破
2023年12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了多项技术突破，为其未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进
