SK海力士宣布量产业界最高238层4D NAND闪存
6月8日，SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证
日月光VIPack™系列FOCoS-Bridge整合多颗ASIC封装解决方案加速人工智能创新
日月光FOCoS-Bridge技术是VIPack™平台之一，VIPack™是根据产业蓝图强化协同合作的可扩展创新平台
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定
该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台
紫光国微第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC已启动研发
第一代SoPC系列产品研发进展顺利，第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC，已经启动研发
兆易创新推出超小尺寸FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash
其最大厚度仅为0.4mm，容量高达128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品，可在应对大容量代码存储需求的同时，提供极大限度的紧凑型设计自由
英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品
近日，英飞凌宣布推出SEMPER Nano NOR Flash闪存产品，该闪存产品具有高功率密度、较小占板面积、低功耗等优势特性。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
广西华芯振邦半导体有限公司三大产线试产成功
3月30日，广西华芯振邦半导体有限公司（以下简称华芯振邦）顺利完成了晶圆凸块制造、晶圆测试、COG封装三条产线的试产，并完成了IC可靠度测试
芯原助力蓝洋智能部署基于Chiplet架构的芯片产品
芯原股份今日宣布AI Chiplet和SoC设计公司南京蓝洋智能科技 (简称“蓝洋智能”) 采用芯原多款处理器IP部署基于可扩展Chiplet架构的高性能人工智能 (AI) 芯片，面向数据中心、高性能计算、汽车等应用领域
南大光电：目前公司ArF光刻胶产品少量供应给国内芯片制造企业
3月28日，南大光电在投资者互动平台表示，公司ArF光刻胶已有两款产品分别在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55nm技术节点的产品上通过认证，其中一款产品已达到商用水平并实现销售
我国自主研发量子计算机核心器件成功交付
量子芯片读取保真度和信噪比是量子计算机实用化的关键指标之一。3月27日，中国科技日报记者从安徽省量子计算工程研究中心获悉，合肥本源量子已成功研制出国产阻抗匹配量子参量放大器（IMPA），并交付用户使用
英伟达GPU打入芯片制造领域，cuLitho让光刻性能提升40倍
3月21日晚间，英伟达CEO黄仁勋在2023年GTC开发者大会上发表了主题演讲，介绍了英伟达在AI领域的最新进展。英伟达宣布了一项突破性技术——NVIDIA cuLitho计算光刻库，它将加速计算带入计算光刻领域。
SK 海力士官宣第8代3D NAND：堆叠层数超过 300 层
近日，SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示，一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献，带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型
国芯科技：高性能高安全边缘计算芯片新产品“CCP1080T”内部测试成功
该CCP1080T芯片产品可应用于服务器、安全网关、密码机、路由器、防火墙、工控机、PLC、智能路侧设备和网络小型基站等领域作为安全协处理器芯片或具有安全功能的主控制器芯片
可用于130nm 工艺，国产高端光刻胶量产
3月13日，晶瑞电材在互动平台上表示，公司 KrF高端光刻胶部分品种已量产。子公司瑞红 ( 苏州 ) 电子化学品股份有限公司的 KrF光刻胶产品分辨率达到了 0.25~0.13 μ m 的技术要求，已通过部分重要客户测试，KrF高端光刻胶部分品种已量产
华润微携手锐成芯微推出基于0.153μm HD BCD工艺的eFlash IP
2023年3月，华润微电子有限公司（“华润微”）旗下的无锡华润上华科技有限公司（“华润上华”）宣布，公司在0.153μm HD BCD工艺平台上实现了Logic eFlash嵌入式存储技术与BCD技术的结合，这在国内尚属首创，该工艺平台的eFlash采用了成都锐成芯微科技股份有限公司（“锐成芯微”）的LogicFlash Pro® 专利技术
中国台湾中山大学成功突破6吋碳化硅晶体生长
近日，中国台湾中山大学晶体研究中心成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，标示着中国台湾地区第三类半导体碳化硅向前推进的进程。
澜起科技PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer芯片实现量产
1月6日澜起科技宣布，其PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer芯片成功实现量产。该芯片是澜起科技现有PCIe 4.0 Retimer产品的关键升级，可为业界提供稳定可靠的高带宽、低延迟PCIe 5.0/CXL 2.0互连解决方案
意法半导体：2023年将量产8英寸碳化硅晶圆
意法半导体正在积极推进碳化硅晶圆产线从6英寸向8英寸转型，预计2023年8英寸碳化硅晶圆即将量产
