三星电子公司存储芯片负责人周二表示，这家全球顶级存储芯片制造商将把其 DRAM 和 NAND 芯片的存储密度提高到“极限水平”，以提高其存储容量和处理能力，足以支持超大规模人工智能。
“目前正在开发的11纳米DRAM将实现业界最高水平的存储密度，”三星电子负责存储芯片业务的设备解决方案部门总裁兼负责人Lee Jung-bae在该公司网站上发布的一篇文章中表示。
三星电子存储芯片业务负责人Lee Jung-bae
在他发表上述言论之前，三星最近推出了满足且容量最高的32 GB DDR5 DRAM，采用先进的12纳米工艺技术。
“我们正在开发第9代V-NAND（垂直NAND）的最高层，可以在双栈结构中实现。”
存储芯片的能量密度，存储相同数量的所需需要的存储芯片比例少。或者，可以通过使用相同数量的更高密度的DRAM芯片来实现更高的总存储容量。
韩国著名的首尔国立大学电子工程博士表示，超大规模人工智能在各个领域的兴起正在创造对高性能、高容量和低功耗存储器的需求。
“在即将到来的 10 纳米以下 DRAM 和 1,000 层 V-NAND 时代，新结构和材料的创新至关重要，”他指出。
对于DRAM，三星正在开发3D堆叠结构和新材料。
对于V-NAND，它正在努力在高度较低的印刷电路板上堆叠更多单元，同时最大限度地减少单元之间的干扰，以实现业界最小的单元尺寸。
Lee 表示：“展望未来，我们将继续扩大我们的高容量 DRAM 产品阵容，并扩展到可实现容量高达 1 TB 的模块的解决方案。”
上个月，三星在其高性能 V-NAND SSD 990 Pro 系列中发布了 4 TB SSD，主要提高了游戏设备的数据处理速度和容量。
HBM Lee对用于为 ChatGPT、数据中心和机器学习平台等 AI 设备提供支持的高带宽内存 (HBM)表示信心。三星目前正在量产HBM3并开发下一代HBM3E。此外，它还计划到 2025 年开发第六代顶级性能 HBM（即 HBM4 DRAM），以及为客户量身定制的半导体芯片，或根据客户需求改变存储容量。
Lee表示，LPDDR DRAM是一种低功耗专用芯片，已经实现了足够的高性能，可以以基于LPDDR封装的模块产品的形式应用于个人电脑和数据中心。现在，随着智能手机等电子产品处理大量数据，内存瓶颈正在成为新的挑战。
“为了缓解内存瓶颈，我们将把PIM（内存处理）和PNM（近内存处理）技术应用于HBM和CMM等产品，这些技术在内存芯片内部或模块级别实现数据计算功能，从而极大地减少内存瓶颈。” “提高数据计算能力，同时提高能效。”Lee 补充道。
为了进一步提高存储芯片的能量密度，三星很快将推出 PB SSD（PB SSD），即 100 万 GB 的硬件。它是一种新型内存类型，与传统硬盘驱动器相比，可节省空间并降低能耗。
它将在 10 月 20 日于硅谷举行的“2023 年三星存储技术日”上展示最新的存储半导体技术、产品和未来战略。
