晶合集成：2024年Q1归母净利润同比增长123.98%
4月30日，晶合集成公布2024年第一季度报告，实现营业收入22.28亿元，同比增长104.44%，不仅延续2023年第四季度增长势头，更实现连续四个季度环比增长
“芯向寰宇 焕然天成 ” 天成先进举行品牌发布会暨设备移入仪式
天成先进定位于行业领先的TSV立体集成科研生产基地，聚焦新一代立体集成产品、微系统产品，打造覆盖立体集成全系列产品的技术研发、生产制造、解决方案服务平台，将建设成为国内半导体立体集成领域领军企业，最终实现国际一流的半导体立体集成技术解决方案与产品制造提供商的目标。
半导体
2024年04月03日
英特尔获得美商务部195亿美元的赠款和贷款
这笔资金将分布在英特尔的四个基地：俄勒冈州、亚利桑那州、俄亥俄州和新墨西哥州。虽然有些人会说这是为了在选举年获得尽可能多的选票，但更微妙的观点是，它代表了整个芯片价值链的多元化投资
CMOS 图像传感器为自动驾驶汽车提供视觉感知
本文介绍了在为自动驾驶汽车应用选择 CMOS 图像传感器时需要考虑的关键特性，包括分辨率、灵敏度、速度、动态范围、运动和色彩。安森美 Hyperlux 图像传感器提供了上述各项特性的出色组合，非常适合各种汽车应用。
软银创始人孙正义或计划筹措1000亿美元成立AI芯片企业
该项目代号为“Izanagi”，标志着孙正义在软银大幅削减初创公司投资之际的下一个重大尝试。知情人士表示，孙正义设想创建一家公司，能够与芯片设计部门Arm形成互补，并能够打造一家人工智能芯片巨头。其中一位知情人士表示，在考虑的一种情况下，软银将提供300亿美元，其中700亿美元可能来自中东机构。
三星希望将最尖端芯片制造技术保留在本国 包含2nm
在全球范围内，三星和其他领先的芯片制造商如台积电都面临着一些挑战。随着美国《芯片与科学法案》指定530亿美元用于补贴本地半导体芯片制造，人才短缺和当地政府的补贴问题成为行业关注的焦点。
中微公司声明：被美国国防部列入清单不会对经营产生实质性影响
中微公司强调，此次，公司将通过有效措施，充分证明公司不是涉军企业，以保护本公司、合作伙伴和股东的利益。
半导体封测大厂日月光公布最新财报
近日，半导体封测大厂日月光公布的财报显示，2023年第四季度该公司合并营收1605.81亿元新台币（单位下同），环比增长4.2%，符合此前预期。日月光2023年平均产能利用率约为60~65%，全年合并营收5819.14亿元，虽下滑13.3%，但仍是历年次高表现
异质整合先进封装设计趋势
在半导体前段制程微缩日趋减缓后，异质整合先进封装技术已然成为另一个实现功能整合与元件尺寸微缩的重要技术发展潮流
甬矽电子：拟出资不超过22亿元投建高密度及混合集成电路封装测试项目
此次项目的实施，将有助于提升公司在先进封装测试工艺包括FC类产品的竞争优势，满足客户群对于先进封测工艺日益增长的需求，有效缓解公司的产能及交期压力，并为公司后续承接高端产品订单奠定基础。该投资项目符合公司整体的发展战略，有利于扩大公司在集成电路封测行业的市场规模，提升公司的核心竞争力。
机构：我国晶圆厂已增至44座 未来将扩产32座、主攻成熟工艺
随着28nm以下成熟制程产能的扩张，预计到2027年成熟制程产能将占前十晶圆代工厂产能的70%。预计到2027年，中国大陆将拥有33%的成熟工艺产能，并有可能继续向上调整。
ERS electronic 公司推出高功率温度卡盘系统，该系统主要针对嵌入式处理器、DRAM 和 NAND
ERS electronic GmbH 50 多年来一直致力于为半导体行业提供创新的温度测试决方案。凭借其用于晶圆针测的快速且精确的空气冷却温度卡盘系统以及用于 FOWLP/PLP 的热拆键合和翘曲调整设备，享誉业界。
三星开发2.3D半导体封装技术，成本可降22%
近日，三星为了加强和英特尔、台积电的竞争，近日介绍了下一代(2.3D)半导体封装技术，可用于封装AI芯片等高性能半导体
美光科技台中四厂正式启用，布局先进探测与封装测试
该工厂以内存先进封装为主，未来将会是美光发展1-gamma先进制程与HBM3E高带宽内存先进封装的重要基地
三星誓言将存储芯片密度提高到“极限水平”
为了进一步提高存储芯片的能量密度，三星很快将推出 PB SSD（PB SSD），即 100 万 GB 的硬件。它是一种新型内存类型，与传统硬盘驱动器相比，可节省空间并降低能耗。
山东大学集成电路学院揭牌成立，孙丕恕出任院长
山大—算能RISC-V研究院是我国高校中首个以RISC-V为主要方向的研究院，是校友与母校发展共赢的成果。
俄罗斯计划2027年量产28nm芯片，2030年量产14nm芯片
据俄媒《生意人报》当地时间周三报道，俄罗斯工业和贸易部提出了微电子发展路线图。报道称，当前该国的微电子企业可生产 130nm 制程产品，最新的目标是 2026 年量产 65nm 芯片节点工艺、2027 年在本土制造 28nm 芯片、2030 年则量产 14nm。
