据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
据悉，4nm工艺节点是三星的标志性芯片代工制程，良率超过70%，已经应用于三星新推出的Exynos 2400芯片组。相较于过去使用的7nm和8nm工艺，4nm工艺的成本更高昂，但却拥有更出色的芯片性能和更低功耗。
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据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
据悉，4nm工艺节点是三星的标志性芯片代工制程，良率超过70%，已经应用于三星新推出的Exynos 2400芯片组。相较于过去使用的7nm和8nm工艺，4nm工艺的成本更高昂，但却拥有更出色的芯片性能和更低功耗。