俄罗斯计划2027年量产28nm芯片,2030年量产14nm芯片

据俄媒《生意人报》当地时间周三报道,俄罗斯工业和贸易部提出了微电子发展路线图。报道称,当前该国的微电子企业可生产 130nm 制程产品,最新的目标是 2026 年量产 65nm 芯片节点工艺、2027 年在本土制造 28nm 芯片、2030 年则量产 14nm。

科学家首次观察到量子隧穿效应

据科技日报3月1日报道,奥地利因斯布鲁克大学物理学家首次在实验中观察到了这种效应,这是有史以来观察到的最慢的带电粒子反应。相关研究论文发表在最新一期《自然》杂志上。