ICEPT2026:成熟工艺跃迁新路径：14nm搭配无凸点W2W混合键合实现等效3nm级芯片综合性能
在后摩尔时代制程成本持续走高的行业背景下，依托无凸点晶圆对晶圆（W2W）混合键合的先进封装架构，成熟14nm逻辑工艺实现性能、功耗、面积三维度跨越式优化。实测量化数据显示，该集成方案晶体管密度提升78%，综合性能对标台积电3nm制程芯片，运行功耗下降41%，裸片整体面积缩小37.5%，为AI推理、边缘算力、车规芯片提供高性价比先进制程替代方案。无凸点混合键合：成熟工艺突破性能瓶颈核心载体当前全球半
