据媒体报道，在日前举办的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，台积电公布了2nm（N2）制程技术的更多细节。
据介绍，相较于前代制程，N2制程在性能上提升了15%，功耗降低了高达30%，能效显著提升。此外，得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用，晶体管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，进一步优化了制程的性能。
通过从传统的FinFET技术过渡到专用的N2“纳米片”技术，台积电实现了对电流更有效的控制，使得制造商能够根据不同的应用场景微调参数。纳米片技术采用堆叠的窄硅带结构，每条硅带都被栅极包围，相比FinFET技术，能够实现更精确的电流控制。
然而，伴随性能提升，N2制程晶圆的价格预计将比3纳米制程高出10%以上。
