据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货。这一举措旨在提升AI半导体的运行效率，并支持客户定制电路，从而进一步增强HBM4内存的性能和功能。
消息称，SK海力士标准款HBM4将继续采用N12FFC+基础裸片，而定制产品则从5nm升级至3nm，基础裸片有望提升20%~30%的性能。这种工艺选择使得SK海力士能够根据不同客户的需求提供定制化的解决方案。
值得一提的是，SK海力士在HBM4上对基础裸片的称呼已经从DRAM Base Die调整为Logic Base Die，这意味着HBM4时代的基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路，从而提升了整体系统的运行效率。
