据株洲日报消息，7月17日，湖南省高校科技成果转化工作推进大会暨“双高”对接活动在株洲举行。会上举行了全省“双高”对接项目签约仪式，清华大学谢志鹏教授团队与湖南维尚科技有限公司签订“功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制”项目合作协议。
近年来，电子电力器件朝大功率、高频化、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出了更高要求。氮化硅陶瓷的理论热导率可达到 200 W/(m·K)以上，而其热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相差无几。大部分陶瓷材料研究者和产业界相关研发人员认为氮化硅陶瓷基板是大规模或超大规模集成电路封装基板材料的优先选择。
烧结工艺是氮化硅陶瓷基板生产的关键技术之一，氮化硅基板烧结受到温度、气氛、气压、温度及气氛均匀性等的综合影响，过程极其复杂，极易出现外观均匀性、尺寸均匀性变差、成品率降低等问题。需要系统开展烧结工艺研究，针对国产原料及相应配方制定与之匹配的烧结工艺，烧结设备。
