国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利，公布号为CN117858494A。
静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器。只要处于上电状态，SRAM中写入的信息就不会消失，不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。
在计算机存储体系结构中，SRAM的存储速度较快，主要用于高速缓存，一般集成在中央处理器(CPU)中。随着计算机性能的不断提升，SRAM作为数据交换的重要媒介，在CPU中所占的面积越来越大，导致功耗、性能、面积和成本发生严重的退化。
为此，学界和业界都提出利用3D堆叠的方式，在不断改进芯片工艺的同时，提高芯片的面积利用率。SRAM相对于其他逻辑计算单元，是一个相对独立的模块，利用后道工艺或叠层工艺更容易将SRAM与逻辑器件进行3D集成。
