12月20日，封测厂力成宣布与华邦电签订合作意向书，共同开发2.5D（CoWoS）/3D先进封装业务。
力成表示，随着AI技术蓬勃发展，市场对于宽频及高速运算的需求急速上升，带动对先进封装及异质整合的需求。这项战略合作旨在满足市场对2.5D CoWoS及3D先进封装的强烈需求。
媒体报道，该合作将由力成提供所需的2.5D及3D先进封装服务，包括但不限于Chip on Wafer、Bumping、TSV封装等，力成科技将优先推荐客户使用华邦电的硅中介层（Silicon-Interposer）及其他产品，包括DRAM、Flash等以完成前述之先进封装服务。
华邦电表示，随着 AI 技术快速演变，市场对高带宽及高速运算的需求激增，进而带动先进封装及异质整合技术的需求。该公司新一代硅中介层技术，是其开发CUBE DRAM系列的伴随产品，不仅实现高效AI边缘运算，更结合力成科技在2.5D和3D的异质整合封装技术。
华邦电强调，本合作业务开发项目之合作方式将由华邦电提供CUBE（客制化超高带宽组件）DRAM，以及定制化硅中间层（Silicon-Interposer）、同时整合去耦电容（Decoupling Capacitor）等先进技术，搭配力成科技所提供之2.5D及3D封装服务，使得这项战略合作能够助力市场对先进封装的强烈需求，以符合客户期望。华邦电进一步指出，创新之硅中间层技术与力成科技2.5D及3D异质整合封装技术结合后，将完整达成高效能边缘AI运算的需求。其中，搭配华邦最新发布的CUBE，若选择利用3D堆叠技术并结合异质键合技术（Hybrid Bond），将可满足边缘AI运算设备不断成长的存储需求，是华邦电达成跨平台与接口部署的重要一步。
