在三星代工厂使用其3GAE（3nm 级，gate-all-around early）节点开始大批量生产几个月后，台积电开始基于其首个N3（3nm 级）制造工艺大规模生产芯片，但根据Business Next的一份报告（该报告引用了各种行业分析师和专家的分析），显示台积电情况要好得多，但台积电尚未证实这些报告。
Business Next采访的半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可低至60%至70%，或高达75%至80%，这对第一批来说相当不错。Dan Nystedt发推表示台积电目前的N3收益率与早期的N5收益率相似，据媒体报道，后者可能高达80%。
相比之下，三星代工厂的3GAE良率在早期阶段从10%到20%不等，并且没有改善，该报告援引行业消息来源，但未详细说明。
虽然估计差异很大，但报告指出关于台积电目前的 N3良率有几点需要注意。首先，不知道良率是针对通过台积电 Fab 18运行的商业晶圆计算的，还是针对包含各种IP的测试晶圆（多项目芯片Shuttle服务是指为不同客户的芯片放在同一片测试晶圆上，不仅可共同分担光罩的成本，还能在短时间内完成芯片试产和验证，从而降低成本，提高经营效率）计算的，其次，除了台积电和它的客户之外，没有人知道此时商业或测试晶圆的确切良率。第三，如果只考虑商业晶圆，目前台积电的N3用于为早期采用者，尽管这是基于市场传闻。
台积电倾向于开发其领先的生产技术，同时考虑到其最大客户苹果公司的要求，苹果根据台积电的能力量身定制其设计同时，对于为大众市场产品提供动力的芯片组（或多个芯片）而言，60% 的收益率可能并不高。
无论如何，由于台积电商业生产的N3设计数量目前有限，并且与良率相关的数据是代工厂及其客户的商业机密，无法不能台积电的N3良率到底有多高或多低，请自行判断。
此外，考虑到有关初始 N3 节点（又名 N3B）的各种传言，苹果可能是唯一一家完全采用该技术的公司，因为其他开发人员将使用具有改进工艺窗口的 N3E。适用于 N3E（和其他节点）来自其N3技术系列）。
现代半导体生产技术包含数以千计的工艺步骤，并取决于材料、使用的晶圆厂设备工具、工艺配方和许多其他因素。因此，可能有数以千计的提高或降低产量的方法，这就是为什么重要的是由于台积电的 N3 (N3B)、N3E、N3S、N3P 和 N3X 是非常不同的制造技术，所以早期的 N3 良率对其余节点来说是个好兆头，但它们并不能保证其他节点也会同样成功（或不那么成功）。
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