# 拜登称“美国2022年经济增速可能超中国”
美国总统拜登当地时间11日发推称，“美国经济增速今年可能超过中国”。这条推文引起俄罗斯卫星通讯社关注，不过，卫星社在报道中提到，国际货币基金组织（IMF）对今年中美经济增速的预测，和拜登不同。报道称，据IMF预测，中国2022年GDP增速为3.2%，2023年有望升至4.4%；相比之下，美国2022年的GDP增速预计在1.6%左右。（央点预报）
# 朔尔茨：德国将成为欧洲最大半导体生产国
据外媒报道，德国总理奥拉夫·朔尔茨 (Olaf Scholz) 日前在一次活动中表示，由于对该领域的投资，德国可能成为欧洲最大的半导体生产国。朔尔茨称，“我们可以创建一个有助于维护欧盟稳定的生态系统，使我们不依赖于其他地区”。他还表示，德国当局正在加紧努力，以重振该国半导体制造业，他愿意尽一切可能为该国半导体相关新兴产业的发展做出贡献，随着时间的推移，核心投资将使德国成为该领域的主要参与者
# 业内人士：预计2023H1台积电由45nm至3nm的整体产能利用率约降至75%左右
半导体设备业内人士指出，二线晶圆代工厂产能利用率自第三季度起就开始下滑，台积电则是从第四季度起，预计2023年上半年跌幅将明显扩大。总体来说，预计台积电2023年上半年由45纳米至3纳米的整体产能利用率约降至75%左右，对营收和获利的冲击力道需要综合考虑汇率和6%的代工涨价影响，目前市场预估台积电明年第一季度营收至少环比下降一成，甚至更悲观的看法认为可能超过15%。
# 华为与三星达成5G专利交叉授权协议
华为技术有限公司12月9日宣布与OPPO广东移动通信有限公司就5G标准等必要专利技术签订全球专利交叉许可协议，同时和三星集团已就各自的标准必要专利包达成交叉许可协议。（新华社）
# 拉普拉斯完成新一轮融资
近日，深圳市拉普拉斯能源股份有限公司完成最新一轮融资，国寿投资旗下国寿科创基金、鋆昊资本参与本轮融资。拉普拉斯成立于2016年，是一家由多位海内外半导体设备领域高端人才创立的装备研发制造企业，致力于成为泛半导体和光伏领域业界领先的国产高端制造装备与解决方案提供商。其主要产品涵盖了低压水平扩散系统（包含硼扩散，磷扩散，氧化/退火）﹑低压化学气相沉积水平镀膜系统﹑等离子体增强化学气相沉积水平镀膜系统等高端制造装备以及相关配套自动化系统和工业互联网云平台。（国寿投资）
# 总投资1亿元，晶圆封装及显示用光学胶膜落户淮南国家高新区
未来半导体12月8日消息，苏州宏天光学材料有限公司“晶圆封装及显示用光学胶膜”项目签约落户淮南国家高新区。晶圆封装及显示用光学胶膜”项目计划总投资1亿元，租赁标准化厂房1万平方米，建设半导体封装功能性高分子材料的胶带和高端OCA胶膜、VHB泡棉材料的精密涂布及模切生产线。项目达产后预计可实现年产值1.2亿元，实现税收480万元。（ 淮南高新区管委会）
# 宝明科技：公司一期项目达产后年产复合铜箔约1.5亿平米
12月12日在投资者互动平台表示，公司一期项目达产后年产复合铜箔约1.5亿平米；公司PET复合铜箔产品业务目前没有官方权威的排名。（每日经济新闻）
# 中晶科技发行募集资金不超过5亿元，拟用于年产250万片6英寸单晶硅抛光片项目
12月10日，中晶科技披露非公开发行股票预案。本次发行募集资金总额不超过50,000万元，扣除发行费用后，募集资金净额拟用于“年产250万片6英寸高端功率器件用单晶硅抛光片项目”以及补充流动资金。据披露，高端功率器件用单晶硅片项目总投资40,756万元，由中晶新材料作为项目的实施主体，拟使用募集资金40,000万元，利用厂区现有土地及厂房，新建配套设施，购置晶体生长、切片研磨、热处理、抛光、清洗及检测等设备，建设“年产250万片6英寸高端功率器件用单晶硅抛光片项目”。（指南针行情网）
# 南亚新材：ML层级的LowCTE材料已进入量产阶段
近日，南亚新材在接受机构调研时表示，LowCTE材料持续开发，目前ML层级的LowCTE材料已经进入到量产阶段。同时我司在VLL、ULL层级的LowCTE材料也基本完成配方定型，拟于2023年上半年正式推出，满足客户在大尺寸封装方面的CTE配匹性，提升可靠性。（集微网）
# 总投资116亿元西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目落户西咸新区
未来半导体12月12日消息，近日西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司在北京签订战略合作框架协议：总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。据介绍，西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目将以第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）为核心内容，建立第三代化合物半导体研发中心，开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元；同时，也将进一步带动相关上下游产业链配套企业入驻，全力助推氮化镓电子器件和高端光电器件等在泾河新城实现“中国智造”。以此次签约为标志，泾河新城将在产业布局上形成光伏、新能源新材料、半导体芯片三大产业鼎足之势。
#闻泰科技：拟向鼎泰匠芯采购代工晶圆 预计合同总金额68亿元
闻泰科技12月9日公告，公司拟与鼎泰匠芯开展合作，公司（或下属子公司）将在12英寸功率器件和功率IC晶圆的开发和制造领域向鼎泰匠芯采购代工晶圆。合同总金额预计将达到68亿元。据公告显示，双方确认，将在12英寸功率器件和功率IC晶圆的开发和制造领域开展相关合作，合同总金额预计将达到68亿元人民币。闻泰科技指出，交易主要为满足公司日常生产运营的需要，符合公司产能规划，有利于根据各方的资源优势合理配置资源及提高生产效率。（闻泰科技）
# 英迪芯微完成3亿元B轮战略融资，长安安和、临芯投资等联合领投
12月12日消息，无锡英迪芯微电子科技股份有限公司（以下简称“英迪芯微”）宣布完成3亿元B轮战略融资，由长安安和、东风交银、科博达、星宇股份以及老股东临芯投资联合领投，国联通宜、科宇盛达、前海鹏晨和正海资本参与跟投。英迪芯微成立于2017年，是一家专注于车规级数模混合信号处理的芯片及其方案供应商，为选定的垂直细分市场开发的专用芯片往往集成了控制器、执行器、电源、信号链、通讯物理层等五大模块；独特的“五合一”芯片既节约了芯片面积，降低了芯片功耗，同时提升了性价比，更方便了芯片的使用。（投资界）
# 复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并获卓越性能
据中国科学报报道，《自然—电子学》发表了复旦大学微电子学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队的论文。研究人员设计出一种晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，可以在相同的工艺节点下，实现器件集成密度翻倍，并获得卓越的电学性能。报道称，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7纳米节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外（EUV）光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。（国科学报报）
