下半年台积电3nm月产能或达12.5万片 预计2025年Q4量产2nm
台积电目前5/3nm制程产能利用率已达100%，其中3nm为应对各厂商需求加速扩产，下半年月产能将逐步由10万片拉升至约12.5万片。预计2nm最快2025年第四季度量产，目标月产能3万片，随着未来高雄厂区放量，预计竹科、高雄合计月产能达12-13万片。
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备
据报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。
康宁计划扩大半导体玻璃基板市场份额 拟准备推芯片封装用玻璃芯
康宁韩国业务总裁Vaughn Hall周三表示，康宁希望利用其特殊的专有技术，扩大其在半导体玻璃基板市场的份额。“我对玻璃基板未来的发展寄予厚望，它似乎比目前芯片封装工艺中广泛使用的有机材料基板更具竞争优势。”
英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
产值百亿！通富超威先进封装测试新基地竣工
据苏州日报消息，11月19日，通富超威（苏州）新基地竣工仪式举行，通富超威（苏州）微电子有限公司揭牌，现场还举行了首台设备入厂仪式。
星曜半导体推出世界最小尺寸双工器芯片
星曜半导体官微消息，7月21日，浙江星曜半导体有限公司正式发布全新一代小尺寸Band 2、Band 3、Band 7双工器芯片。三款产品均为1411尺寸，此尺寸为目前全球范围内最小分立双工器芯片尺寸，且为全球首次发布。此前，该公司相继获得华勤技术、龙旗科技、天珑移动、国兴网络、以晴集团、易赛等产业链资源的投资。
Manz集团德国公司宣布重组
自Manz官网获悉，日前，Manz集团德国公司宣布将启动重组程序。董事会做出决定拟提交申请启动破产程序，理由是公司资不抵债且负债过高。
全球两大存储厂新动作
AI浪潮之下，高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术，受下游驱动，HBM市况正供不应求，产值持续攀升，存储原厂纷纷加强布局。
