全球两大存储厂新动作
AI浪潮之下，高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术，受下游驱动，HBM市况正供不应求，产值持续攀升，存储原厂纷纷加强布局。
美方宣布对华加征关税，多方回应
日前，美国拜登政府宣布对华加征301关税四年期复审结果，在原有对华301关税基础上，进一步提高对自华进口的电动汽车、锂电池、光伏电池、关键矿产、半导体以及钢铝、港口起重机、个人防护装备等产品的加征关税。
重庆两江欣晖硅及碳化硅部件项目投产
据消息，8月21日，重庆市2024年8月重大项目开工暨投产活动活动举行。其中，两江欣晖硅及碳化硅部件项目宣布投产。
ASML：年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机
据外媒报道，近日，ASML发言人Monique Mols向媒体提及，ASML首席财务官Roger Dassen已确认今年年底前将向英特尔和台积电运送两台High-NA EUV光刻机。
麦斯克电子8英寸硅外延片项目正进行设备调试
据洛阳融媒报道，近日，位于涧西区的麦斯克电子年产360万片8英寸硅外延片项目加快推进，目前，设备已安装完成，正在进行调试工作。
泰瑞达交付第8000台J750半导体测试系统
据泰瑞达TERADYNE消息，5月21日，泰瑞达宣布，与独立第三方集成电路测试服务企业伟测科技共同达成一项里程碑式结果，暨交付第8000台J750半导体测试平台。
颀中科技倒装芯片（FC）封测制程项目下月量产
据颀中科技官微消息，日前，颀中科技宣布其自主建设的FC（倒装芯片）封测制程项目将于2025年7月份正式进入量产阶段，标志着公司在先进封测领域的技术实力跃升至新的高度。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
工信部：推动集成电路、工业软件产业高质量发展
3月14日，工业和信息化部党组书记、部长金壮龙主持召开党组会议和干部大会，传达学习贯彻习近平总书记重要讲话精神和全国两会精神，研究部署贯彻落实举措
