德国蔡司创新中心在新竹成立 要以尖端半导体检测服务厂商
来自德国的光学技术先驱蔡司18日宣布位于新竹科学园区、斥资3亿多元打造的首座台湾创新中心正式落成，第一阶段将引进电子、光学与3D X-ray显微镜的尖端半导体检测分析解决方案，结合人工智慧（AI）与独家关联技术，提升检测品质、改善生产效率与良率。
全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定
据消息，6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工
据消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。
三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机
日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
鸿海再夺英伟达大单 独家供货GB200交换器
鸿海（2317）抢攻AI商机再传捷报，继取得大份额英伟达（NVIDIA）GB200 AI服务器代工订单之后，独家拿下GB200关键元件、有「提升算力法宝」之誉的NVLink交换器（switch）大单，订单量是服务器机柜量上看七倍，不仅是全新订单，毛利率也远高于服务器组装，将成为助攻鸿海毛利一大利器，获利进补。
SK海力士大幅扩产第5代1b DRAM 以应对HBM及DDR5需求增加
据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
英飞凌在台扩大投资27亿新台币
6月17日，中国台湾地区经济部门宣布，全球车用半导体龙头德国英飞凌（Infineon）将在台扩大研发投资，成立「先进汽车暨无线通讯半导体研发中心」，总经费12亿元新台币（单位下同），估可促成英飞凌在台投资27亿元，带动台湾电动车上下游产值达600亿元。
ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小
日前，ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。
南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工
据消息，近日，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
晶盛机电半导体材料抛光及减薄设备项目建成时间延后至明年6月
据消息，晶盛机电6月15日发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》。同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。
上海临港今年集成电路产业产值有望突破200亿元
据悉，临港新片区积极打造“6+2”前沿产业体系，其中，今年前5月临港新片区集成电路产业产值已达93.5亿元，全年将有望突破200亿元。
国际大厂纷纷投入HBM制造，挤压标准型DRAM产能
英特尔和AMD都预计于2024年推出搭载DDR5的新平台，带动新一波的换机潮与AI PC的发展。
台积电3纳米产能全包，传英伟达、苹果等四大客户考虑涨价
随着台积电3纳米供不应求，四大客户产能全包，预期台积电3纳米订单满至2026年。据报道，NVIDIA、苹果、AMD和高通现在考虑提高AI硬件价格。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
总投资约100亿元，奕斯伟半导体材料产业基地项目落户珠海金湾
据消息，6月13日，珠海市金湾区人民政府、华发集团与北京奕斯伟科技集团有限公司在珠海签订奕斯伟半导体材料产业基地项目投资协议，正式落户珠海金湾。
安牧泉高端大芯片先进封装基地正式启用
据消息，6月13日，2024长沙共建新一代半导体产业生态大会暨产业链专场主题活动在位于湖南湘江新区的安牧泉先进封装基地启幕，标志着该基地正式投入使用。
