自Rapidus官网获悉，12月18日，Rapidus宣布其购入的首台ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机已在*IIM-1工厂交付并开始安装。这也是日本第一台用于大规模生产尖端半导体的EUV（极紫外）光刻系统。
据悉，NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻机的最新型号，能满足Rapidus首代量产工艺2nm的制造需求。该光刻机与0.55 (High) NA EXE平台共享部分组件，晶圆吞吐量较前款NXE:3600D提升37.5%。
除EUV光刻机外，Rapidus还将在其IIM-1工厂安装更多先进的半导体制造辅助设备以及全自动材料处理系统，以优化2nm GAA半导体工艺的制造。2025年4月，该试验线将在IIM-1投入运营。Rapidus称，将在所有制造设备中引入单晶圆工艺，并推动新的半导体代工服务RUMS（快速统一制造服务）的建设。
Rapidus首席执行官小池淳义表示，计划2025年春季完成2nm芯片原型开发，并在2027年实现量产。
据了解，Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。在2022年底与IBM签署了技术授权协议，目标在2027年开始实现2nm工艺的批量生产。
（*IIM：Innovative Integration for Manufacturing）
