近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破，也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域，打开百亿级市场迈出了坚实的一步。
集成电路领域高速发展，对芯片制造工艺提出了更具挑战的要求，其中就包括如何用绝缘介质在各个薄膜层[1]之间进行均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护。为了满足以上需求，HDPCVD设备已经成为介质薄膜沉积工艺的重要设备。[1]包括浅槽隔离（Shallow-Trench-Isolation，STI），金属前绝缘层（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金属层间绝缘层（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。
Orion Proxima作为北方华创推出的国产自研高密度等离子体化学气相沉积设备，主要应用于12英寸集成电路芯片的浅沟槽绝缘介质填充工艺。此款设备通过沉积-刻蚀-沉积的工艺方式可以有效完成对高深宽比沟槽间隔的绝缘介质填充，借助北方华创在刻蚀技术上的积累，发挥其高沉积速率、优异的填孔能力和低温下进行反应得到高致密的介质薄膜的优势，获得多家业内客户关注。
