据天眼查信息，近日，昕原半导体（上海）有限公司发生工商变更，股东新增PICOHEART(SG)PTE.LTD.，后者持股约9.51%，成为第三大股东。同时该公司注册资本增加4.64%。
据了解，PICOHEART(SG)PTE.LTD.是字节跳动不久前于新加坡成立的新公司。此次投资，字节跳动间接持股9.51%，成为昕原半导体的第三大股东。另据媒体近日报道，字节跳动发言人证实了这一投资，并表示这是为了帮助推进该公司虚拟现实头显设备的开发。
△图片来源：天眼查信息截图
工商信息显示，昕原半导体（上海）有限公司成立于2019年10月，法定代表人为XIANG ZHANG，注册资本约3346.96万人民币，经营范围含集成电路芯片设计及服务、电子元器件制造、计算机软硬件及辅助设备零售等。
据官网介绍，被投资方昕原半导体成立于2019年，专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发，涵盖高性能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系统级存储（System-on-Memory, SoM）芯片三大应用领域。
昕原半导体掌握一体化闭环技术能力，覆盖器件材料、工艺制程、芯片设计、IP设计和中试量产等诸多环节。由昕原自主建设的中国大陆首条先进制程 ReRAM 12寸中试后道生产线已顺利通线。另外，该公司“昕·山文” 系列ReRAM安全存储产品，率先实现了先进制程 ReRAM在工业自动化控制领域的商用量产。
字节跳动布局芯片之路
相比阿里、百度、腾讯等同行公司，字节跳动布局芯片的时间要晚一些。2020年，半导体行业步入下行周期，全球芯片供应链受到冲击，在此之下，字节跳动启动了自研芯片计划。
2021年，字节跳动计划组建AI芯片团队，面向市场招兵买马，以进军半导体行业。
芯片研发规划上，据消息称字节跳动将从自行研发云端AI芯片和安谋（Arm）架构的服务器芯片切入。字节跳动的芯片研发主要包含服务器芯片、AI芯片、视频云芯片等领域。
对于互联网公司加入芯片战局的举动，业界认为主要有两方面的利好，一方面可以减轻对协力供应商的依赖，另一方面是借由自行研发芯片降低成本。
除了保持芯片研发步伐，字节跳动把目光放到投资领域。值得一提的是，昕原半导体并不是字节跳动投资的唯一一家国产芯片公司，据不完全统计，字节跳动还投资了AI芯片公司希姆计算、GPU芯片设计独角兽摩尔线程、RISC-V公司睿思芯科、泛半导体行业智能制造商润石科技、数据中心网络芯片公司云脉芯联、开发衍射光学芯片的公司光舟半导体等。
潜力新技术ReRAM，蛰伏待机
资料显示，ReRAM（RRAM）全称为Resistive Random Access Memory，电阻式随机存取存储器，是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。该技术具备一般小于100ns的高速度、耐久性强、多位存储能力的特点。
1962年, T.W. Hickmott在研究Al/SiO2/Au,Al/Al2O3/Au,Ta/Ta2O5/Au等结构的电流电压特性曲线时发现了金属氧化物介质层在特定情况下可以发生阻变现象。这一发现奠定了未来ReRAM技术的基础。
相比其他技术，ReRAM被称为结构最简单的存储技术。该技术结构看上去像一个三明治，绝缘介质层（阻变层）被夹在两层金属之间，形成由上、下电极和阻变层构成金属-介质层-金属（metal-insulator-metal，简称MIM）三层结构。这种金属-介质层-金属（MIM）三明治结构，在偏压变化时电阻会在高、低两种状态间切换。
△图片来源：昕原半导体官网截图
从类别上看，ReRAM被分为许多不同的技术类别，包括氧空缺存储器 (OxRAM，Oxygen Vacancy Memories)、导电桥存储器 (CBRAM，Conductive Bridge Memories)、金属离子存储器 (MeRAM，Metal Ion Memories)、忆阻器 (Memristors)、以及纳米碳管 (CaRAM，Carbon Nano-tubes)。
业界指出，ReRAM可以将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，因此其拥有了擦写速度高、耐久性强、单个存储单元能存储多位数据的优势，并且它的功耗极低。在新兴的存储技术中，ReRAM技术更适合在存储单元中采用多级存储，有利于降低存储器计算的能耗、提高成本效益。
近年来，Crossbar、英特尔、富士通、三星、UMC、Adesto、台积电、英飞凌等国际厂商正在重点布局。其中，2018年兆易创新和Rambus宣布合作建立合资企业合肥睿科微，进行ReRAM技术的商业化，但目前还无量产消息。2021年，台积电代工厂的40纳米ReRAM技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。2022年12月，英飞凌宣布基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，其基于台积电28纳米ReRAM技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。
此外，Rambus Labs高级副总裁Gary Bronner曾强调，RRAM的功耗比闪存低得多，可能是下一代MCU的一个关键差异化因素。此外，在2016年《Application study: RRAM for Low-Power Microcontrollers》论文曾指出，RRAM的一个可能应用领域就是MCU中所有易失性存储器的备份存储器。
