三星：史上最大芯片长平泽园区P3芯片生产线已正式运营
三星平泽园区已成为该公司最重要的半导体制造中心。这里的各种制造设施可用于制造从13纳米DRAM到5纳米制程工艺以下的各种芯片产品。在平泽290万平方米的园区内，三星电子将继续增添设施。三星已经开始准备开辟另一条新生产线P4，以进一步提高其生产能力
投资8.63亿建设封装基地，锐杰微科技集团总部项目开工
苏州锐杰微科技集团总部项目计划建设高端芯片封装总部基地，用地面积35亩。达产后，将形成年产1080万只大颗高端倒装球栅格阵列芯片的生产能力。
100亿元！义乌高端芯片及智能终端产业投资最大项目开工
1月9日上午，浙江创豪半导体有限公司年产45万片高阶封装基板项目举行开工仪式。项目总投资100亿元，是义乌高端芯片及智能终端产业投资最大的项目，将进一步促进义乌半导体产业发展壮大、迈向高端，为加快打造现代产业体系提供强力支撑、注入强劲动能
振华风光模拟集成电路晶圆制造及先进封测产业化项目新进展
振华风光3月13日在投资者互动平台表示，其投建的高可靠模拟集成电路晶圆制造及先进封测产业化项目正在按照计划有序推进。建设地点为贵阳国家高新区沙文生态科技产业园，首批设备已于2022年11月进场
总投资8亿元！芯动半导体“第三代半导体模组封测项目”正式动工
2月26日，长城无锡芯动半导体科技有限公司（简称“芯动半导体”）“第三代半导体模组封测项目”奠基典礼在无锡举行，标志着芯动半导体“第三代半导体模组封测项目”迈出了产业化的关键一步。
浙江广芯微功率半导体晶圆代工项目投产通线
5月19日上午，浙江芯微泰克半导体有限公司厂房封顶暨浙江广芯微电子有限公司通线仪式在浙江芯微泰克厂区隆重举行
中车时代：投资111.19亿元中低压功率器件产业化建设项目正式启动
时代电气9月22日公告，基于公司及控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“中车时代半导体”)的发展战略需求，利用我国能源转型升级的契机，打造产业链的优势，中车时代半导体拟投资中低压功率器件产业化建设项目，项目投资总额约111.19亿元，其中宜兴子项目和株洲子项目投资金额分别约58.26亿元和52.93亿元。
投资145亿元！西部科学城重庆高新区芯片项目开工
此次开工的西部科学城重庆高新区芯片项目，计划投资145亿元，建设一条2万片/月的集成电路特色工艺线，建设期5年
路芯半导体掩膜版研发及产业化基地项目签约
该项目预计总投资人民币20亿元，项目公司将依托路维光电在掩膜版领域的技术基础，深耕半导体掩膜版领域，建设130nm-28nm制程节点的半导体掩膜版产线
盛美半导体设备研发与制造中心A厂房成功封顶
1月6日，盛美半导体举行了设备研发与制造中心A厂房成功封顶仪式。据悉，盛美半导体于2019年12月30日正式宣布上海临港研发及生产中心项目正式启动，占地64亩，建筑面积12万平方米，并于2020年7月7日举行开工仪式
长飞先进：拟60亿元建第三代半导体功率器件项目
据长飞光纤公告，子公司长飞先进半导体拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
光驰半导体：投资5.48亿元原子层镀膜与刻蚀设备项目开工
9月23日，光驰半导体技术（上海）有限公司原子层镀膜与刻蚀设备项目开工奠基仪式在上海宝山高新区举行。项目全部建成后将具有年产高精度原子层镀膜机120台和5台刻蚀机的产能。
芯享科技：半导体CIM系统项目签约合肥经开区
近日，合肥经开区软件园揭牌活动及软件产业发展论坛在中德合作创新园举行。芯享科技半导体CIM系统项目。此次签约标志着芯享科技在合肥市的业务布局取得阶段性成果。
机构：我国晶圆厂已增至44座 未来将扩产32座、主攻成熟工艺
随着28nm以下成熟制程产能的扩张，预计到2027年成熟制程产能将占前十晶圆代工厂产能的70%。预计到2027年，中国大陆将拥有33%的成熟工艺产能，并有可能继续向上调整。
总投资420亿元，东莞天域半导体、光大半导体等60个项目动工
3月17日，广东省东莞市举行2023年首批重大项目动工仪式。东莞日报消息显示，本次动工的重大项目共有60个，总投资420亿元，其中包括比亚迪汽车零部件、天域半导体、光大半导体等项目
矽典微ICL1112, ICL1122毫米波SoC发布，赋能低功耗和远距离检测应用
矽典微致力于实现射频技术的智能化，专注于研发高性能无线技术相关芯片，产品广泛适用于毫米波传感器、下一代移动通信、卫星通信等无线领域
宏微科技：拟6亿元投建车规级产品，将形成年产840万块生产能力
宏微科技9月26日公告，为了完善公司的产业布局，加快公司在车规级功率半导体分立器件领域的建设，进一步提高公司的经营效益，公司拟投资建设车规级功率半导体分立器件生产研发项目，预计建设周期3年。项目建成后，公司将形成年产车规级功率半导体器件840万块的生产能力。同日，公司宣布，拟发行可转债募资不超过4.5亿元，用于车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一 期）。
总投资67亿美元，华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目开工
该项目标志着华虹半导体“8 + 12”、先进“特色IC + Power”双引擎战略进一步深化，华虹集团和无锡市产业合作再上新台阶
成都芯未半导体10亿元功率半导体项目加速建设
通过此项目的建设，芯未半导体将进一步丰富完善基于自主创新技术的生产工艺平台，整体技术水平进入行业前列，推动超薄IGBT特色背面晶圆工艺和高端集成封装技术的量产应用与产业化推广，助力成都电子信息产业建圈强链
