产业资讯

台积电:计划将特殊制程产能扩大50%,获将增添N4e节点

据外媒报道,日前,台积电在(TSMC)在五月中旬举行的欧洲技术研讨会上透露,计划到2027年将其特殊制程的产能扩大50%,以提升半导体供应链弹性。该计划不仅需要转换现有产能以满足特殊工艺的需求,甚至有可能为此建立新的晶圆厂。

台积电证实,南京厂获无限期豁免

5月24日消息,经台积电证实,美国商务部近日已向台积电南京厂授予了“经认证终端用户”(Validated End-User,VEU),确认美国出口管制法规涉及的物品和服务得以长期持续提供给台积电南京厂,无需取得个别许可证,获得无限期豁免。

东芝电子300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工

据消息,5月23日,东芝电子器件与存储株式会社(下简称“东芝”)宣布其300mm晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。目前将继续进行设备安装,计划在2024财年下半年开始大规模生产。

台积电技术论坛:AI掀起第四次工业革命 挑战1万亿个晶体管

据消息,台积电2024年技术论坛于5月23日举办。台积电亚太业务处长万睿洋表示,人工智能(AI)正掀起第四次工业革命,也更加依赖高性能计算(HPC)。万睿洋强调,3D芯片堆叠和先进封装技术日趋重要,台积电先进半导体技术领先全球,未来将实现单芯片上整合超过2000亿个晶体管,并通过3D封装突破1万亿个晶体管。 ​

存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨​

据消息,存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,主要分为闪存和内存。数据显示,今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示,从2023年年底开始,半导体存储产业逐步进入上行周期,今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示,存储芯片价格或还将持续上涨,预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。​

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。​

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