据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展提供重要支撑。
据悉，磷化铟（InP）材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技术，突破大尺寸外延均匀性控制难题，首次开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺， 关键性能指标达到国际领先水平，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。
材料性能：
• FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差<1.5nm，组分与厚度均匀性<1.5%
• PIN探测器材料本底浓度<4×10¹⁴cm⁻³，迁移率>11000 cm²/V·s
