据报道，5月27日，中微公司举行2024年度暨2025年第一季度业绩说明会。
中微公司董事长、总经理尹志尧表示，在等离子体刻蚀领域，中微基本可以全面覆盖（不同应用），包括成熟及先进逻辑器件、闪存、动态存储器、特殊器件等，并且已经有95%到99%的应用都有了批量生产的数据或客户认证的数据。
工艺精度上，中微公司ICP刻蚀机Twin-star两台的加工精度已经进入皮米数量级，达到100皮米以下水平；双台刻蚀机实现原子、亚原子水平刻蚀控制，达到全球先进水平。目前业内量产所用刻蚀机的深宽比在60:1，中微公司正在突破90到100:1的深孔刻蚀。
除刻蚀设备外，中微公司自2010年开始不断开始扩大在薄膜设备领域的开发应用。中微公司规划了近40种导体薄膜沉积设备的开发。其中9种设备已经完成开发，6款实现量产运转1年，今年计划将完成7种设备开发。尹志尧称，很快将会把国际对国内禁运的20多种薄膜设备开发完成，预计到2029年完成所有开发。
据尹志尧介绍，目前中微可以覆盖30%的集成电路设备。而在今后五到十年内，中微公司将与合作伙伴共同覆盖60%的集成电路高端设备，包括刻蚀、薄膜及量检测的全部设备，以及一部分湿法设备，成为平台式的集团公司。
