据科技日报消息，近日，由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度快至400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。
针对当下AI计算所需的算力与能效要求，存储技术亟须突破，而破局点在于解决集成电路领域最为关键的基础科学问题：超越信息的非易失存取速度极限，也就是断电不丢失，存取还要快。
据了解，研究团队从2015年开始，就集中精力突破电荷存储速度的研究。通过突破基础理论的瓶颈，研究团队发现一种电荷存储的“超注入”机制。据此，研究团队重新定义了现有的存储技术边界，并成功研制“破晓”皮秒闪存器件，其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。
据介绍，闪存作为性价比最高、应用最广泛的存储器，一直是国际科技巨头技术布局的基石，上述成果不仅有望改变全球存储技术格局，推动产业升级，催生全新应用场景，还将为我国在相关领域实现技术引领提供强有力支撑。刘春森透露，目前相关产品正在尝试小规模量产。
