据中欣晶圆官微消息，近日，中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破，良率达到行业先进水平，通过国内外客户验证并已实现规模量产。
据悉，BCD是功率集成电路的关键技术，结合模拟、数字、功率三种不同技术的优势，拥有稳定的性能表现和优异的电性参数，提高了芯片的可靠性，减少电磁干扰，拥有更小的芯片面积，广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率器件等领域。中欣晶圆的12英寸轻掺BCD硅片产品，先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术，以及高平坦度、洁净度的产品加工平台，使得产品具备优异的性能表现。
据了解，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是一种单片集成工艺技术，将BJT（双极型晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。1985年由意法半导体率先研制成功，目前其依然是全球领先的BCD工艺制造商。
