据镓仁半导体官微消息，日前，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破，成功生长出2英寸N型氧化镓单晶并制备出2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底。衬底平均电阻率＜30mΩ·cm，电阻率均匀性＜5%，标志着公司在超宽禁带半导体材料领域迈出了坚实的一步。
据悉，在氧化镓单晶衬底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表现而备受青睐。但受限于衬底尺寸、性能及加工难度，无法在科研和产业中得到充分应用。目前镓仁半导体制备的导电型衬底，突破了（010）晶圆尺寸的桎梏，丰富了公司的衬底产品线，夯实了氧化镓外延和器件的科研基础，也满足了氧化镓产业发展的迫切需求。
据了解，镓仁半导体一直致力于直拉法氧化镓晶体生长技术的研发，于今年相继完成2英寸UID和半绝缘直拉晶体的技术突破，并成功解决了（010）晶面衬底加工技术难题，成为国际上首个也是目前唯一的2英寸（010）晶面衬底产品供应商。在2英寸UID和半绝缘直拉法晶锭的中试阶段，镓仁半导体通过工艺革新，提高放肩和等径生长的稳定性，于近期实现一次成晶的技术，从而克服Sn掺高挥发的缺陷，成功制备出导电型氧化镓单晶。
