近期，中国科学院微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下，在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索，取得了重要进展。
在高频高效率器件方向，团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件，解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题，在连续波测试条件中，30GHz的功率附加效率（PAE）为49.7% 功率密度为5.90W/mm。
在限幅器方向，团队采用全GaN SBD-MMIC技术的限幅器， 利用全GaN肖特基势垒二极管来实现的单片微波集成电路（全GaN SBD-MMIC）技术，研制的限幅器显示出高在连续波模式（CW）下，入射功率超过50W脉冲模式下为125 W，插入损耗（IL）小于1dB@8GHz，具备39纳秒的创纪录的快速恢复时间，拓展了宽禁带材料在GaN SBD的限幅器领域的应用前景。
