1月24日，英特尔庆祝其位于新墨西哥州里奥兰乔的尖端工厂 Fab 9 开业。这一里程碑是英特尔此前宣布的 35 亿美元投资的一部分，旨在装备其新墨西哥工厂，以制造先进的半导体封装技术，其中包括英特尔突破性的 3D 封装技术 Foveros，该技术为组合针对功耗、性能进行优化的多个芯片提供了灵活的选择和成本。
英特尔执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示：“今天，我们庆祝英特尔第一家大批量半导体工厂的开业，也是美国唯一一家大规模生产全球最先进封装解决方案的工厂。” “这项尖端技术使英特尔脱颖而出，并为我们的客户提供了性能、外形尺寸和设计应用灵活性方面的真正优势，所有这些都在弹性供应链中实现。祝贺新墨西哥团队、整个英特尔家族、我们的供应商和承包商合作伙伴，他们通力合作，不懈地突破封装创新的界限。”
英特尔的全球工厂网络是一项竞争优势，可实现产品优化、提高规模经济和供应链弹性。位于 Rio Rancho 的 Fab 9 和 Fab 11x 工厂是英特尔 3D 先进封装技术大规模生产的第一个运营基地。这也是英特尔第一个位于同一地点的大批量先进封装工厂，标志着端到端制造流程创造了从需求到最终产品的更高效的供应链。
Fab 9 将有助于推动英特尔先进封装技术创新的下一个时代。随着半导体行业进入在封装中使用多个“小芯片”的异构时代，Foveros 和 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）等先进封装技术为实现 1 万亿美元目标提供了更快、更具成本效益的途径芯片上的晶体管并将摩尔定律延续到 2030 年以后。
Foveros 是英特尔的 3D 高级封装技术，是同类首创的解决方案，支持使用垂直堆叠而不是并排堆叠的计算块构建处理器。它还允许英特尔和代工客户混合和匹配计算模块，以优化成本和能效。
英特尔 Foveros 3D 的当前版本依赖于使用其低成本、低功耗 22FFL 工艺技术生产的 600mm^2 中介层，该中介层的作用类似于互连和堆叠在其上的小芯片的电力传输基础芯片。目前，Foveros 3D 具有 36 微米凸块间距，支持每平方毫米多达 770 个微凸块和每毫米高达 160 GB/s 的带宽。不过，该技术未来将采用25微米和18微米微凸块，大幅提高互连密度。此外，可以使用英特尔的 Co-EMIB 技术互连多个 Foveros 3D 中介层，以构建超大型数据中心级设备。
“英特尔的这项投资凸显了新墨西哥州继续致力于将制造业带回美国本土，”该州州长米歇尔·卢扬·格里沙姆 (Michelle Lujan Grisham) 表示。“英特尔继续在该州的技术领域发挥关键作用，并加强我们的劳动力队伍，为数千个新墨西哥州家庭提供支持。”
Rio Rancho 的 35 亿美元投资创造了数百个英特尔高科技工作岗位、3,000 多个建筑工作岗位以及全州另外 3,500 个工作岗位。
