2022,逆全球化、新冠疫情、俄乌战争、通货膨胀、美元加息、本土化、半导体下行周期综合因素叠加下,让这个近乎6000亿美元的半导体市场遭受严重的挑战。

根据世界半导体贸易组织 (WSTS) 的最新预估,2022年全球半导体市场营收增幅或放缓至4.4%,规模达5800亿美元,并预计2023年全球市场规模将同比减少4.1%,降至5565亿美元,创下历史冰点。这意味着2023年行业仍会处于下行周期。

逆全球化浪潮下导致全球供应链的中断与本土供应链的重建,尤其以中美两个大国的竞争加剧背景下,美国对中国半导体围堵死心不改,坏事做尽。美国芯片法案这种违背市场规律的高额补贴,正在拉拢台积电、三星、恩智浦等半导体产业领域的巨头史无前例的加大在美国的最新投资计划。或许基于美国这种强盗主义,欧盟、日本、印度也出台政策,竞相拦截全球大厂加大对本国的投资力度。而这些大厂们一面占着中国地盘不放,又一面在印度、以及越南、新加坡、马来西亚等东南亚地区设厂或有技术投资。中国在举国体制和市场需求的加持下,开始了轰轰烈烈的国产替代浪潮,以前所未有的科创投入和协同作战正在加速构建中国本土化的安全供应链。

2021年,产能不足造成芯荒意乱与人才匮乏导致薪酬高涨,2022却来了惊天逆转,砍单频仍、库存积压、裁员不停,当下芯片行业供过于求前所未有,电脑和手机的需求端疲软过度,行业似乎从2021年的高歌猛转向凌冽寒冬。机构预测2023年全球半导体资本支出将同比下滑26%。多重因素影响下,半导体企业承压前行,生产制造厂商纷纷优化产品组合,优化市场和产能布局,或将成为2023年的一大方向。2022年,先进制程持续推进,3nm开始量产,2nm推进规划。同时,芯片设计、先进封装、封测等环节不断迭代,小芯片成为延续摩尔定律的重要技术手段。2022年,硅光子、量子计算等新技术暗潮涌动……

2022年,大国争锋,巨头混战,错综复杂,风云变幻,但是永恒不变的是技术创新。摩尔定律并未终结,先进制程的竞争仍是当下半导体技术的核心,同时制造、封装、材料、器件以及新一代信息技术推动硅基半导体进入新的顶峰。以下是未来半导体按时间顺序,为您盘点的2022一些重要事件。

2022全球半导体重要事件目录


# 英伟达弃购ARM,半导体史上最大收购案告吹

AMD498亿美元宣布完成对赛灵思的收购

# 联电将斥资50亿美元建设新加坡22nm晶圆厂

俄乌冲突波及全球半导体供应链、原材料

# 美国制裁俄罗斯最大芯片制造商

# Tower股东会批准其被英特尔54亿美元收购协议

# Chiplet互连标准UCIe成立,创始成员无大陆公司

# 高通46亿美元完成对Veoneer的收购,将汽车芯片与相关软件融合

# AMD以19亿美元收购边缘计算初创公司Pensando

美欲组建芯片四方联盟”(Chip4)围堵封锁中国半导体

# MaxLinear斥资38亿美元收购慧荣科技

三星电子未来五年内将投资3600亿美元

博通将以 610 亿美元收购 VMware

# 斥资107亿美元扩产!南亚科技12英寸厂DRAM动工

# 日本批准台积电建厂计划 最高补贴4760亿日元

拔得头筹!三星宣布3纳米芯片正式开始量产

# 英飞凌居林第三工厂奠基,进一步扩大马来西亚功率半导体产能

# 全球首款232层NAND量产

# 格芯、意法半导体将宣布在法国近40亿欧元建厂计划

# 美国游说荷兰停止向中国出口ASML公司的先进产品

美签署《芯片和科学法案》,限制接受美方补贴和优惠政策的公司在中国投资

# 美国对用于GAAFET集成电路(3nm以内)开发的EDA软件进行出口管制

# 美国出台《通胀削减法案》,将影响全球电动汽车产业链、供应链

# 英特尔与Brook field达成300亿美元的合作

# 英特尔在俄亥俄州价值200亿美元的芯片生产基地正式破土动工

# 三星:史上最大芯片长平泽园区P3芯片生产线已正式运营

# 美光投资150亿美元存储器制造工厂破土动工

# Vedanta联手鸿海在印度建设200亿美元半导体项目

# 美国先进计算和半导体对华出口管制新规

# 全球芯片股暴跌席卷全球,总市值蒸发超1.6万亿

# 铠侠与西部数据合资的Fab7晶圆厂建成,2023年量产162层NAND Flash

# 欧盟国家同意为增强欧盟的半导体生产能力拨款逾400亿欧元

# 英特尔:4nm、3nm 级节点步入正轨,1.8nm 技术投入使用

台积电亚利桑那州移机典礼,投资加码至400亿美元

 5年投资900亿美元,塔塔集团计划在印度本土建晶圆厂

# 美将长江存储等36家中企列入“实体清单”

# 意法半导体“三箭齐发”扩产

日本政府将投7万亿日元促企业国内投资

# 台积电 3nm 制程工艺量产 

# 中美经济总量进一步拉大




# 英伟达弃购ARM,半导体史上最大收购案告吹

2月8日,在欧美多国监管机构表达严重关切后,美国半导体巨头英伟达决定放弃收购日本软银集团旗下芯片公司ARM,这笔高达660亿美元(约合人民币4200亿元)的交易,原本有望成为半导体史上最大规模的并购案。

有资深半导体行业人士指出,考虑到英伟达和ARM在中国的营收规模,这笔规模庞大的收购无疑也需要得到中方的批准。但由于这笔收购在欧美已经亮起红灯,中国监管机构也没有必要着急表态。

在欧美市场,一方面,英国担心英伟达收购后将ARM总部搬离英国,一直以国家安全为由进行阻挠;另一方面,ARM在移动终端IP领域拥有垄断地位,苹果、高通、微软和谷歌等多家美国科技巨头均要用到ARM的IP授权,美国监管机构不会只考虑英伟达的诉求。

# AMD498亿美元宣布完成对赛灵思的收购

2月14日,AMD宣布完成了对赛灵思的收购,前赛灵思董事会成员 Jon Olson 和 Elizabeth Vanderslice已加入AMD董事会。AMD于2020年10月27日宣布有意以全股票交易方式收购赛灵思。官方并未透露具体数字,但据路透社报道称,此次收购大约498亿美元。

这笔交易是在AMD加强与英特尔公司在数据中心芯片市场竞争的背景下进行的。合并后的公司将拥有超过 15000名工程师,并奉行高度依赖台积电的完全外包的制造战略。未来,AMD极有可能在增加CPU、GPU中集成赛灵思FPGA IP,从而和Intel、NVIDIA展开更有针对性的竞争。

# 联电将斥资50亿美元建设新加坡22nm晶圆厂

2月24日,联电(UMC.US)已经批准在位于新加坡现有的300mm晶圆厂旁边建造一个新的22nm晶圆制造工厂。据悉,联电将为该项目斥资50亿美元,考虑到这一点,该公司2022年的资本支出预算将上调至36亿美元。该新建工厂在建成后的第一阶段月生产能力将达到3万个晶圆片,预计在2024年底开始生产。此外,该项目得到了该公司多年合作客户的支持,这有助于确保该公司在2024年及以后的产能。

# 俄乌冲突波及全球半导体供应链、原材料

2月24日,随着俄罗斯总统普京对乌克兰宣战,俄乌战争正式拉开序幕,因素错综复杂,局势瞬息万变。牵连全球半导体供应链、原材料等多个方面都会受到影响。全球半导体产业都极为以来的两大原材料金属钯、氖气中,俄罗斯供应量占全球的45%以上;乌克兰则是氖气主要生产国。

光刻机巨头阿斯麦(ASML),正在寻找其他氖气供应来源,以防俄罗斯和乌克兰冲突导致供应中断。与此同时,受美国宣布对俄罗斯出口制裁影响,主要芯片和IT公司宣布停止了对俄业务。由于遵守新的出口控制规定,英特尔、戴尔等都已暂停向俄罗斯交付产品。台积电则宣布暂停为俄罗斯公司代工Elbrus芯片等,以及暂停向俄罗斯出口产品和所有销售业务。

俄乌局势所需原料供给受到波及,这凸显了半导体供应链的复杂性与脆弱性。俄乌战争可能导致全球缺芯进一步加剧。各国为了保护本国市场,开始筹划建立本土化的供应链。

# 美国制裁俄罗斯最大芯片制造商

3月31日,美国对俄罗斯实施了最新一轮制裁,制裁对象主要针对技术部门、破坏网络安全以及所谓的“恶意网络行为者”。

据悉,最新申明显示此次制裁主要涉及21家实体和13人,其中包括俄罗斯最大的芯片制造商、微电子产品制造和出口商米克朗控股(Mikron)。

# Tower股东会批准其被英特尔54亿美元收购协议

4月26日,英特尔收购Tower半导体计划迎来最新进展。Tower半导体在。举办了临时股东大会,并批准了54亿美元的英特尔收购案。这项交易创造了一个端到端的全球多元化代工厂,帮助满足日益增长的半导体需求,并为将近1000亿美元市场规模的代工客户提供更多价值。

据了解,2022年2月15日,英特尔(IntelCorporation)宣布与模拟半导体解决方案代工厂TowerSemiconductor签署了一项最终协议。根据该协议,英特尔将以每股53美元的现金收购Tower,交易总金额约为54亿美元。双方董事会已经批准此项交易,但这桩跨国并购还需获得各区域市场反垄断部门的批准,英特尔预计整个交易将在12个月内完成。

针对此次收购,英特尔中国区董事长王锐表示,“收购Tower半导体加速了英特尔创建世界领先的、端到端代工业务的发展之路。英特尔代工服务(IFS)是英特尔IDM2.0战略的重要一环,面向全球客户提供服务,帮助满足全球对半导体制造产能日益增长的需求。”

# Chiplet互连标准UCIe成立,创始成员无大陆公司

3月,UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)产业联盟由日月光、AMD、ARM、Google Cloud、Intel、微软、高通、三星和台积电十家公司宣告成立,联盟成员将携手推动Chiplet接口规范的标准化,并已推出UCIe 1.0版本规范。UCIe是一种开放的Chiplet互连规范,其定义了封装内Chiplet之间的互连,以实现Chiplet在封装级别的普遍互连和开放的Chiplet生态系统。

在产业链内,实现Chiplet所依靠的先进封装技术仍然未实现统一,全球顶级的晶圆厂努力以硅片加工实现互联为主,可提供更高速的连接和更好的延展性;中国大陆、台湾的封装厂却在努力减少硅片加工需求,输出性价比更优于头部晶圆大厂的廉价方案。

只有当标准得到普遍采用时,才能最大程度体现其价值。UCIe10个初始成员,虽然是Fabless、Foundry,OSAT和IP的“代表”,却维护了头部企业的价值链,将进一步加强其市场的接受度和统治力。然而,没有中国封装大厂的参与,这一标准很难具有真正意义的“普世价值”。但是,长电、通富、华天三大封测厂,以及晶圆制造、设计公司也不能坐以待毙,应该积极的支持和参与到UCIe标准化进程中来,以提升中国同仁的话语权。

# 高通46亿美元完成对Veoneer的收购,将汽车芯片与相关软件融合

4月1日,高通与私募股权SSW Partners合作,以46亿美元完成对Veoneer的收购。高通首席财务官Akash Palkhiwala表示,Arriver的ADAS软件部门将成为高通迅速发展的汽车业务的重要组成部分。同时,这也是高通整个汽车数字底盘的一块关键拼图,从4G/5G联网、云服务、座舱娱乐到智能驾驶。

在高通整体战略层面,这也是其业务模式多元化的里程碑。而收购Arriver,也凸显汽车行业芯片和相关软件商业化融合的巨大潜在机会。

# AMD以19亿美元收购边缘计算初创公司Pensando

4月4日,芯片巨头AMD宣布以19亿美元收购Pensando,收购于5月26日结束。AMD表示,总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯的Pensando生产开发的芯片和软件用于加快大型服务器场的数据流,并降低其运营成本。

自2017年推出以来,Pensando吸引了很多关注,尤其是因为这家边缘计算初创公司是由一群前思科系统工程师创立的,其支持者包括前思科首席执行官约翰·钱伯斯。

AMD表示,Pensando的分布式服务平台将通过高性能数据处理单元和软件堆栈扩展AMD的数据中心产品组合。Pensando的创始人和员工加入了AMD数据中心解决方案集团。

# 美欲组建芯片四方联盟”(Chip4)围堵封锁中国半导体

4月,美国政府提议与韩国、日本、中国台湾地区建立“芯片四方联盟”(CHIP4),其背后的意图是利用这一组织将中国大陆排除在全球半导体供应链之外,在全球供应链中对中国大陆形成包围圈。此外,这个半导体联盟的筹组是要为政府和企业提供一个论坛,用来讨论并协调有关供应链安全、人力发展、研发与补贴政策。

业界人士研判,“芯片四方联盟”(Chip4)若组成,其成员当中,中国台湾的联发科、台积电、日月光等三家串连设计、制造到封测的指标厂必当是获邀要角;韩国则以三星、SK海力士为双箭头;日本以东芝、瑞萨、东京威力科创等业者为主;美国则以应材、美光、英特尔、博通、高通等重量级大厂,组成半导体史上最强的联盟。然而各方在华利益因素,Chip4迄今组建的进度迟缓。

# MaxLinear斥资38亿美元收购慧荣科技

5月5日,美国芯片厂商MaxLinear公司与NAND闪存控制器厂商慧荣科技(Silicon Motion)宣布,已达成了一项最终协议,MaxLinear公司将以现金和股票交易方式收购Silicon Motion公司,合并后的公司的企业价值为80亿美元。

根据协议,Silicon Motion的每股美国存托股票(相当于4股Silicon Motion普通股),将换取93.54美元现金和0.388股MaxLinear普通股,每股ADS对价为114.34美元。基于MaxLinear 2022年5月4日的收盘价,慧荣科技之交易对价总额隐含价值为38亿美元。

该战略业务合并预计将推动转型规模,创造多样化的技术组合,显著扩大合并后公司的总目标市场,并创造一个高利润的现金产生的半导体领军企业。

# 三星电子未来五年内将投资3600亿美元

5月24,三星电子表示,未来五年内将投资450万亿韩元(约3600亿美元),以加速半导体、生物制药和其他下一代技术的发展,应对日益严重的经济和供应冲击。该集团在声明中表示,其中80%的资金将用于韩国本土的技术研发和人才培养其余将投向海外。

# 博通将以 610 亿美元收购 VMware

5月27日,芯片制造商博通宣布将以现金加股票的方式收购云服务提供商、虚拟机软件巨头VMware,交易价值610亿美元,预计在2023财年内完成。这是有史以来最大的科技收购案之一,仅次于戴尔 670 亿美元的 EMC 交易和微软即将以 687 亿美元收购动视暴雪的交易。博通以其芯片业务而闻名,为多种设备的调制解调器、Wi-Fi 和蓝牙芯片设计和制造半导体。

此次对 VMware 的巨额收购旨在推动博通的软件业务。VMware 和博通的结合可能是一个强大的组合,专注于企业基础架构和云计算。

# 斥资107亿美元扩产!南亚科技12英寸厂DRAM动工

5月31日消息,台塑集团旗下DRAM大厂南亚科新建12英寸厂取得建照后,敲定6月23日举行动土典礼。这是台塑集团近十年来在科技领域最大手笔投资。根据南亚科规划,12英寸新厂落脚新北市泰山南林科学园区,总投资额高达3000亿元新台币。新厂基地包含“主厂房”、“研发大楼”及“水资源再生中心”,同时也将兴建EUV极紫外光曝光光刻设备独立厂房,以应对未来先进制程导入的需求。

据悉,新厂将采用南亚科自主研发的10纳米级(1A、1B、1C、1D)制程技术生产DRAM芯片,规划分三阶段进行扩建,完成后月产能可达到4.5万片晶圆,预计2025年开始装机投片量产。

# 日本批准台积电建厂计划 最高补贴4760亿日元

为了让全球半导体巨头台湾积体电(TSMC)落地日本,日本政府6月17日正式批准台积电在日本建厂计划,并承诺最高4760亿日元(约合人民币238亿元)的补贴金额。如果一切顺利,台积电将携手索尼集团、日本电装株式会社(DENSO),主要面向日本客户进行生产。

日本共同社指出,世界各国正就用于各类电子产品的半导体采购展开竞争,确保自己国家稳定供应已成为政府的重要课题。而日本在半导体生产方面落后,因此日本政府希望通过提供补贴等夯实生产基础。

# 拔得头筹!三星宣布3纳米芯片正式开始量产

6月30日,三星在官方声明中表示,公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片。与前几代使用FinFET的芯片不同,3纳米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶体管架构,该架构大大改善了功率效率。与传统的5纳米芯片相比,第一代3纳米芯片工艺可以降低45%的功耗,提高23%的性能,并减少16% 的面积。而第二代3纳米芯片工艺则可以降低50%的功耗,提高30%的性能,面积减少35%。

三星3纳米芯片量产使得其生产进度略快于同行。在同业竞争方面,台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

# 英飞凌居林第三工厂奠基,进一步扩大马来西亚功率半导体产能

2022年7月14日,英飞凌位于马来西亚居林的第三工厂项目日前举行奠基仪式,该项目总投资逾 80 亿令吉(约合 121.2 亿元人民币),将用于第三代半导体碳化硅、氮化镓产品制造,预计 2024年第三季度建成投产。

出席仪式的英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 表示,公司在居林地区的前道晶圆制造基地已形成规模优势,第三工厂达产后,将贡献 20 亿欧元(约 135.2 亿元人民币)新增产值,也将使英飞凌更好满足功率半导体需求增长。

# 全球首款232层NAND量产

7月26日,美光科技宣布推出全球首款232层NAND,该产品现已在美光新加坡工厂量产,首批芯粒将用于英睿达(Crucial)的消费端SSD。232层的NAND闪存是存储创新的分水岭,首次证明了生产中将NAND闪存扩展到200层以上的能力。

美光232层NAND采用新的11.5mmx13.5mm封装,尺寸比美光前几代产品缩小28%,使其成为市面上最小的高密度NAND。与美光上一代NAND相比,232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽,同时引入了业界最快的I/O速度,达到了2.4GB/s,比176层的NAND闪存高出50%。

# 格芯、意法半导体将宣布在法国近40亿欧元建厂计划

7月11日,格芯和意法半导体在凡尔赛举行的“选择法国”峰会上宣布计划投资近40亿欧元在法国建立一座半导体工厂,此举将有助欧盟委员会达成2030年生产全球20%芯片的目标。这也是欧洲发展芯片制造以摆脱亚洲和美国供应链的最新举措。

# 美国游说荷兰停止向中国出口ASML公司的先进产品,但发往中国大陆地区的光刻机台数仍超过了全球总台数的20%

7月以来,美国游说荷兰停止向中国出口ASML公司的先进产品,包括EUV(极紫外光)光刻机等。ASML公司首席执行官温彼得公开质疑美国政府推动荷兰采取限制对华出口的政策是否合理。他表示,在美国的压力下,荷兰政府从2019年开始限制ASML向中国出口其最先进的光刻机,这让销售替代性技术和产品的美国企业受益。

然而,美国的劝阻似乎打消不了该公司在华销售的强走势。荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)全球副总裁、中国区总裁沈波表示,该公司对向中国出口集成电路光刻机持开放态度,对全球客户均一视同仁,在法律法规框架下,都将全力支持。沈波透露,2020年第二、第三季度,公司发往中国大陆地区的光刻机台数超过了全球总台数的20%。

# 美签署《芯片和科学法案》,限制接受美方补贴和优惠政策的公司在中国投资

2022年8月9日,美国总统拜登在白宫正式签署《芯片和科学法案》 正式成法生效,美国政府将约527亿美元的补贴投向半导体制造和研发领域,同时,还将向在美国建设芯片工厂的企业提供25%的税收抵免优惠政策,以吸引各国芯片产业转移到美国去,同时限制接受美方补贴和优惠政策的公司在中国投资——要求任何接受美方补贴的企业必须在美国本土制造芯片。此外,法案另授权美国政府拨款约2000亿美元的补贴用于促进美国未来10年在人工智能、量子计算、机器人等各领域的科研创新。

评论指出,该法案违反WTO《补贴与反补贴措施协定》规则的非法措施。还违反了WTO非歧视待遇这一最为根本性的法律原则。试图逼迫芯片企业选边站队,限制企业在中国的投资发展。外交部发言人表示,该法案是美国大搞经济胁迫的例证。搞限制脱钩只会损人害己。任何限制打压都不会阻挡中国科技发展和产业发展的步伐。

中国工商界对该法案表示坚决反对,其生效和实施将不仅阻碍中美工商界在半导体领域的正常经贸与投资合作,损害包括美国企业在内的全球半导体企业的利益,扰乱全球芯片市场,影响全球芯片产业链供应链的优化配置和安全稳定。

# 美国对用于GAAFET集成电路(3nm以内)开发的EDA软件进行出口管制

8月15日,美国商务部发布规定,对设计GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路所必需的EDA软件等技术实施新的出口管制,相关禁令于15日正式生效。美国商务部工业和安全局(BIS)发布一项临时最终规则。该规则中,对四项新兴和基础技术确立了新的出口管制。在四项技术中,最让外界关注的是EDA软件。该规则规定,对用于开发全栅场效应晶体管的晶体管(GAAFET)结构的EDA软件进行出口管制。

美国违反国际经贸规则,必将阻碍国际科技交流和经贸合作,威胁全球产业链供应链安全稳定。在当前世界经济增速下行、通胀高企的背景下,各国应加大开放合作力度,共同营造开放、公平、公正、非歧视的科技发展环境,推动全球科技进步和成果共享,为世界经济稳定发展增添动力。

# 美国出台《通胀削减法案》,将影响全球电动汽车产业链、供应链

8月16日,美国总统乔·拜登签署了总价值为7500亿美元的《2022年通胀削减法案》(Inflation Reduction Act),令该立法正式生效。根据《通胀削减法案》,美国政府将为主要生产环节在美国境内完成的绿色产业提供高额补贴,法案中包含的电动汽车补贴规定还提出了产业链本土化比例要求,对供应链的影响令人担忧,或将限制关键材料(例如锂、钴)的采购。美方声称该法案旨在缓解通胀、削减赤字。

分析人士指出,美国此举意在鼓励本国及海外企业将生产基地转移到美国本土——它也被外界解读为美国试图“限制中国”的又一个举措。有分析称,该法案提出的电动汽车补贴规定等意图将中国排除在供应链之外。本质是损害欧洲工业、为美国企业争取竞争优势。中国贸促会回应,这是典型的贸易保护主义做法,是对全球电动车供应链、产业链的不当干预,严重影响全球电动车产业的自由竞争。法案也招惹了欧盟的一致回怼,“严重违反世贸规则,欧洲必须优先捍卫自身利益!”

# 英特尔与Brook field达成了300亿美元的合作

8月23日,半导体行业巨头英特尔宣布,已经和加拿大的资产管理巨头Brook field达成了300亿美元的合作,此举将会为英特尔在亚利桑那州的芯片工厂提供资金支持。据了解,Brook field将会投资150亿美元收购该芯片工厂49%的股份,同时还将为芯片工厂提供一些基建经验;而英特尔则保留了51%的股份。根据预计,双方的合作会在2022年底完成。

# 英特尔在俄亥俄州价值200亿美元的芯片生产基地正式破土动工

据英特尔9月9日官方消息,英特尔在俄亥俄州价值200亿美元的芯片生产基地正式破土动工。美国总统、俄亥俄州长与英特尔首席执行官帕特・基辛格在俄亥俄州利金县一起庆祝英特尔在 40 年来最新的美国制造基地破土动工。该公司表示,未来十年对该厂的投资总额可能高达1000亿美元,使其成为世界上最大的半导体制造厂之一。其有望吸纳 7000 多名工人参与该设施的建造。预计英特尔会在这里设立两座独立的工厂,且建成后有望创造 3000 个工作岗位。为支持新节点的开发,英特尔承诺追加 1 亿美元用于与教育机构建立合作伙伴关系,以建立人才管道并支持该地区的研究计划。

作为英特尔 IDM 2.0 战略的一部分,这项投资将有助于提高产量以满足对先进半导体不断增长的需求,为英特尔新一代创新产品提供动力,并满足代工客户的需求。

# 三星:史上最大芯片长平泽园区P3芯片生产线已正式运营

9月8日,内存芯片制造商三星电子表示,它已开始运营韩国平泽园区的 P3 芯片生产线。将在该工厂生产先进的NAND闪存芯片。这是三星电子有史以来建造的最大的芯片工厂。

如今,三星平泽园区已成为该公司最重要的半导体制造中心。这里的各种制造设施可用于制造从13纳米DRAM到5纳米制程工艺以下的各种芯片产品。在平泽290万平方米的园区内,三星电子将继续增添设施。三星已经开始准备开辟另一条新生产线P4,以进一步提高其生产能力。

# 美光投资150亿美元存储器制造工厂破土动工

美光科技9月12日宣布,公司投资150亿美元存储器制造工厂在爱达荷州博伊西破土动工。这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂,确保国内供应汽车和数据中心等细分市场所需的前沿内存,而人工智能和5G的加速应用将推动这些市场的发展。

美光首席执行官表示,这家工厂的建立得益于美国近期通过的《芯片与科技法案》,通过《芯片法案》预期的联邦拨款和信贷,以及爱达荷州提供的激励措施,新工厂将在本世纪末创造超过17000个新的美国就业机会。

美光还将在美国建立另一家新工厂,两家工厂都将生产广泛用于数据中心、个人电脑和其他设备的DRAM芯片。投入运营后,美光在美工厂DRAM产量将占美光全球产量的40%,高于目前的10%。作为美光科技投资计划的一部分——未来十年,将投入1500亿美元用于生产和研发支出,并评估在各地的设厂规划。其中400亿美元投资于美国。

# Vedanta联手鸿海在印度建设200亿美元半导体项目

9月13日,印度大型跨国集团韦丹塔(Vedanta)与鸿海同印度古吉拉特邦签署协议,将在印度总理莫迪的老家建设其200亿美元半导体项目,这是印度有史以来在半导体行业最大的一笔投资。

鸿海表示,很高兴古吉拉特邦所做的努力,以吸引在当地发展半导体与政府效率的提升,位于印度西部的古吉拉特邦是被认可具备工业发展、绿能与智慧城市的地方。随着基础建设的改善,以及政府主动强烈的支持,可望大幅提升在当地设立半导体厂的信心。

# 美国先进计算和半导体对华出口管制新规

美国商务部工业与安全局(“BIS”)于2022年10月7日发布了向中国出口先进计算和半导体制造物项的管控措施,以限制中国获得先进计算芯片、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力,宣称此举是为了保护美国国家安全和外交政策利益。之后又于2022年10月28日发布了相关的FAQ以解释其中部分问题。

在物项方面,包括将某些先进、高性能的计算机芯片和含有此类芯片的计算机商品添加到商业管制清单、对最终用途在中国的超级计算机或半导体开发及生产应用项目增加新的许可证要求、将某些半导体制造设备和相关项目添加到商业管制清单、对在中国的16纳米以下非平面晶体管结构逻辑芯片或128层以上NAND闪存芯片等先进芯片生产设施增加新的许可证要求等。

可以说,本次美国对于出口管制措施的针对性修改对于相关企业具有强大的冲击力,但结合美国近几年的所作所为,相关管制措施可以说并不出人意料。我们期待中国企业在国际压力下的不断破局,也期待国产替代化更快发展,把握住半导体“芯片”,也把握住各行各业的“芯片”,或许这也是美国公然破坏全球合作背景下企业的必由之路。

# 全球芯片股暴跌席卷全球,总市值蒸发超1.6万亿

随着10月7日美国商务部发布新规,之后的两个交易日内,全球芯片股出现暴跌。

仅10月7日-10月11日四天期间(两个交易日),台积电、英伟达、AMD、三星电子等芯片企业股价暴跌,导致该行业的全球市值损失超过2400亿美元(合1.67万亿元人民币)。2022全年,全球芯片行业股市值估计将损失超过2万亿元人民币。

# 铠侠与西部数据合资的Fab7晶圆厂建成,2023年量产162层NAND Flash

10月26日,存储芯片大厂铠侠(Kioxia) 和西部数据(Western Digital ) 在日本庆祝位于四日市晶圆厂Fab7 完工。Fab7是日本最新、技术最先进的半导体制造工厂,对于铠侠未来的发展将不可或缺。

Fab7晶圆厂第一期的总投资约为1万亿日元(约合人民币488亿元),而第一阶段的部分投资金额将由政府补贴资助。Fab7的产能在未来随着时间而逐步增加之后,将促进当地先进半导体生产设施发展,并确保日本半导体的稳定供货。Fab7具备生产第六代162 层NAND Flash 闪存和未来更先进3D NAND Flash闪存的能力,计划于2023年初开始出货162层NAND Flash闪存。

# 欧盟国家同意为增强欧盟的半导体生产能力拨款逾400亿欧元

11月底,欧盟国家同意为增强欧盟的半导体生产能力拨款逾400亿欧元。这是今年2月欧盟委员会公布的 《欧洲芯片法案》 的延续,根据法案,到2030年欧盟拟动用超过430亿欧元的公共和私有资金,支持芯片生产、试点项目和初创企业,并大力建设大型芯片制造厂。欧盟的计划是到2030年将芯片产量占全球的份额从目前的10%提高至20%。

尽管这项法案最终在2023年才能获得通过,很多半导体公司早已闻风而动,在欧洲大规模建设晶圆厂的浪潮也初见端倪。不过,基于欧洲自身的行业基础和市场状况,以及内部对条款细则的争议,这项半导体复兴计划依然面临太多不确定性。

# 英特尔:4nm、3nm 级节点步入正轨,1.8nm 技术投入使用

12月初,在IEDM会议上,英特尔分享了它的工艺技术路线图和它对未来三到四年内将出现的芯片设计的设想。正如预期的那样,英特尔的下一代制造工艺--英特尔4和英特尔3有望在2023年和2024年分别用于大批量制造(HVM)。此外,该公司的20A和18A生产节点将在2024年为HVM做好准备,这意味着18A将提前上市。

2024年的某个时候发生,该公司将推出其 20A(20 埃或 2nm)节点,该节点将使用其环栅晶体管 RibbonFET以及称为 PowerVia 的背面功率传输。英特尔预计其 20A节点将在 2024年上半年投产;它将在 2024 年用于为公司代号为 Arrow Lake的客户端 PC处理器制造小芯片。

公司还在准备其 18A(18 埃,1.8 纳米)生产节点,该节点有望进一步提高 PPA(性能、功率、面积)英特尔及其英特尔代工服务客户的优势。对于 18A,英特尔最初计划使用具有 0.55 数值孔径 (NA) 光学器件的 EUV 工具,这将提供 8nm 的分辨率(低于当前使用的具有 0.33 NA 的 EUV 工具的 13nm 分辨率)。但 ASML 的 High-NA EUV 设备生产要到 2025 年才能准备就绪,而英特尔的 18A 目标是在 2025 年下半年准备好制造,领先于竞争对手。

# 台积电亚利桑那州移机典礼,投资加码至400亿美元,营收将达100亿美元

12月6日,在美国亚利桑那州的凤凰城,台积电举行移机典礼,首批机台搬进耗资120亿美元的新工厂。初估与会人数将高达900人,场面非常盛大。

这场典礼声势颇为浩大,规格为台积电有史以来之最。不仅台积电创办人张忠谋、总裁魏哲家和董事长刘德音出席典礼,美国总统拜登以及美国商务部长雷蒙多也到场。台积电还邀请供应商和客户出席,苹果公司CEO库克、AMD CEO苏姿丰、应用材料、科林研发、科磊和东京威力科创CEO也受邀参加。

在此次的典礼上,台积电宣布计划加码美国新厂投资至400亿美元,是原定的120亿美元建厂预算的三倍,并且兴建第二座工厂。这是台积电在中国台湾以外的最大投资,也是美国历史上最大的外国直接投资之一。台积电董事长刘德音表示,当亚利桑那州的两座厂投产后,一年将生产超过60万片晶圆,估计年营收达100亿美元。同时将创造 1.3 万个高薪工作,其中 4500 个来自台积电,其余来自供应链厂商。

台媒报道11月,台积电首批包机已将近300名员工及家属送往美国,他们将定居美国,未来还会有1000多名台积电员工及家属被送往美国。但张忠谋并不看好美国的经营环境层,表示美国制造芯片的成本比台湾高50%。

坦白讲,对于台积电赴美行径,无论是岛内还是大陆的主流舆论都是义愤填膺的,甚至岛内有识之士直言,台积电在美国建厂的行为,是在出卖岛内利益,出卖中国利益。

台积电赴美的做法有被威胁的成分,而威胁的对象,则是美国政府。从战略的角度来讲,将通信安全上升到国家战略安全的层面,建立本国本土化的产业链,来实现与中国大陆市场完全脱钩并长期与中国抗衡。

无法获取高端芯片已成定局,但同时这对中国企业是一个机会。这不过这个机会需要我们付出更多的耐心、智慧、博弈与合作独立研发出属于自己的高端芯片。

# 5年投资900亿美元,塔塔集团计划在印度本土建晶圆厂

12月8日,印度塔塔集团表示,将进军半导体行业,并且在未来五年内投资900亿美元。同时,该集团董事长相信,此举将使印度成为全球芯片供应链的重要组成部分。

在当下全球芯片短缺以及芯片供应链不断多元化的背景下,虽然印度对智能手机和电动汽车等半导体密集型产品的需求在不断增长,但是该国除了软件设计之外几乎没有半导体产业,需求几乎全部依赖进口。

作为印度最大的集团公司,塔塔集团商业运营涉及到多个领域。当然,该集团过去也曾设下国在全球芯片供应链中占据关键位置的目标,表达过其想要进军半导体制造业的意愿。

# 美将长江存储等36家中企列入“实体清单”

12月15日,美国政府将长江存储、寒武纪、上海微电子装备等在内的36家中国科技公司列入了“实体清单”,以期进一步阻挠和打压中国科技行业的发展。

美国商务部将这些公司列入所谓的实体清单,意味着上述任何公司如果对名单上企业提供的产品涉及美国技术,必须获得华盛顿方面的许可,而这个许可证很难申请成功。

最新的举措是美国企图限制中国芯片和人工智能技术发展的一部分,此前已有报道称,上述企业将被列入禁止购买部分美国零部件的实体清单。外交部发言人汪文斌指出,美方一再泛化国家安全概念、滥用出口管制措施、对他国企业采取歧视性、不公平做法,将经贸科技问题政治化、武器化,这是赤裸裸的经济胁迫和科技霸凌行径。

# 意法半导体“三箭齐发”扩产

意法半导体(STMicroelectronics)12月正式官宣其又一大扩产计划,将在意大利卡塔尼亚(Catania)投资7.3亿欧元建造一条6英寸碳化硅衬底生产线,预计于2023年投产。这也是意法半导体近期继意大利Agrate和法国Crolles的12英寸新线后,宣布的第三项重大扩产计划。

# 日本政府将投7万亿日元促企业国内投资,核心是为尖端半导体生产提供投资支援

日本政府12月8日表示,将投入约7万亿日元来扩大日本国内投资。核心内容是为日本国内的尖端半导体生产提供投资支援等,据日本最大经济团体“经团连”预测,到2027年度面向日本国内的设备投资额将达到100万亿日元。

日本首相岸田文雄8日在首相官邸参加了旨在扩大日本国内投资的官民意见交流会。他在会上表示:“我曾多次提到增长和分配的良性循环很重要,分配的最重要驱动力就是投资”,表示将投入资金,用于强化尖端半导体和蓄电池的日本国内产能,以及支援中小企业将生产基地从海外迁移到日本国内。

# 台积电 3nm 制程工艺量产 

12月29日,台积电在台南科学园区举办3纳米量产暨扩厂典礼,正式宣布启动3纳米大规模生产。董事长刘德音表示,晶圆18厂是台积电5纳米及3纳米生产重镇,总投资金额将达1.86万亿元新台币,估计将创造1.13万个直接高科技工作机会。新年伊始,台积电将采用产能有限 N3节点工艺,然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E,随后在2024年转向N3P,这一年台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产,并在2025年进行大规模生产。

# 中美经济总量进一步拉大

12月11日,美国总统拜登发推,内容是“根据独立专家预测,今年美国经济增速可能超过中国。这是自1976年以来从未发生的情况。”

综合机构预测,2022年全年的经济规模有望超过120万亿元人民币,按平均汇率折算成美元在18万亿左右。而美国将会突破25万亿美元。中美经济总量进一步拉大。

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