年产36万片碳化硅晶圆！长飞先进武汉基地封顶
6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
南京江北新区高质量建设EDA创新生态启动
4月12日，在集成电路EDA创新生态发展高峰论坛现场，江北新区举行了高质量建设EDA创新生态启动仪式
日本凸版拟将CMOS图像传感器零部件业务转移至中国
据日媒报道，日本凸版集团（Toppan）已把CMOS图像传感器零部件的制造业务从日本迁至中国，目的是为了提升当地生产力，因为中国正在努力强化相关的产业链。
英飞凌泰国功率模块组装厂已动工
据报道，日前，英飞凌科技股份公司宣布已在曼谷南部的 Samut Prakan 动工建造新的半导体后端生产基地，用于生产功率模块，以优化和进一步多元化其制造业务。
台积电A16工艺将于2026年量产
近日，台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，准备在2025年末开始大规模量产N2工艺，同时A16（1.6nm级）工艺技术的首批芯片计划在2026年末开始投产。
市场趋势影响全球半导体前工序设备投资额，预计将下降22%
调查数据显示，2023年半导体电路前工序制造设备的世界投资额将同比减少22％，降至760亿美元
三星电子芯片部门Q1遭创纪录亏损
韩国芯片制造巨头三星电子周四（4月27日）公布了 2023 年第一季度的完整财务报告，其芯片业务遭受了创纪录的亏损。不过三星电子却对未来市场状况持乐观态度，认为市场对存储组件的需求正在逐步改善
英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
