自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
据悉，SK海力士以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还能保留高性能的优势。此外，在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，确保了成本竞争力。同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。
据介绍，1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加。SK海力士称，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。
SK海力士强调，随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但其以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示：“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。”
