SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM
自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB
据三星半导体消息，三星预计，在未来十年单颗SSD的容量可达1PB（一千万亿字节）。三星表示，基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高，这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域
日本目标 2030 年芯片销售额增加两倍，达到 15 万亿日元
日本工业省周一表示，日本政府的目标是通过加大投资力度，到 2030 年将该国制造半导体、零部件和材料的公司的销售额增加两倍，达到 15 万亿日元（1,130 亿美元）
台积电2023年资本支出有望逼近400亿美元
据报道，供应链传出，台积电因应未来三年成长所需，在先进制程台湾扩产与投资研发、美日海外扩产、成熟制程升级等三大动力驱动下，今年资本支出有望逼近400亿美元(逾新台币1.2万亿元)，再创新高，换算年增5.6%起跳，不受半导体市场短线库存调整影响
三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装
日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
韩国政府将对自华进口电池及材料开展侵权调查
据韩国产业通商部官网11日刊登的通知，该部决定对内置中国产二次电池的智能手机和中国产NCM811正极材料是否侵犯专利权进行调查。同时还将对中国的PET树脂发起反倾销调查
龙芯中科：2K3000将于近期流片 9A1000计划Q4流片
龙芯中科在最新调研纪要中指出，龙芯第二代GPU核LG200将在2K3000中应用，支持图形加速、科学计算加速、AI加速。2K3000将于近期流片。后续将研发龙芯首款独立显卡及AI加速卡芯片9A1000，计划2024年Q4流片，2025年H1样片。
总投资50亿元，北方特气硅基新材料及第三代半导体材料一体化项目开工
据消息，日前，舟山高新区2024年10个重点项目集中开工，总投资约65亿元。
