江苏出台新政，打造具有国际竞争力的集成电路产业集群
2月24日，江苏省人民政府办公厅发布《关于推动战略性新兴产业融合集群发展实施方案的通知》。《实施方案》提出：要打造5个具有国际竞争力的战略性新兴产业集群、建设10个国内领先的战略性新兴产业集群、培育10个引领突破的未来产业集群。
近30家，上海硬核半导体厂商名单公布
近日，上海市产业技术创新促进会联合市科协发布了《2024上海硬核科技企业TOP100榜单》。
甬矽电子集成电路IC芯片封测项目二期落成
甬矽二期项目总占地500亩，一阶段完成建设300亩，总投资111亿，满产将达到年产130亿颗芯片
美国以涉俄为由制裁42家中企
美国商务部周五将42家中国公司列入政府出口管制名单，原因是他们支持莫斯科军事和国防工业基地，其中包括供应原产于美国的集成电路
纬湃科技和安森美达成十年期碳化硅供应协议
5月31日，纬湃科技与安森美宣布了一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅产品10年期供应协议，以满足纬湃科技在电气化技术方面的强势增长
概念追踪 | 二十大提出强化国家战略科技力量 半导体行业国产化蓄势待发(附概念股)
半导体板块相关个股三季度业绩亮眼，半导体CMP(化学机械抛光)设备企业华海清科(688120.SH)今年前三季度实现营业收入翻倍增至11.33亿元，归属于上市公司股东的净利润同比增长1.31倍至3.43亿元，基本每股收益3.73元。半导体IP授权服务商芯原股份(688521.SH)近期也发布了业绩预告，今年前三季度公司实现营业收入18.84亿元，同比增长23.87%，净利润为3277.39万元，同比扭亏为盈，扣非后净利润亏损收窄。安集科技(688019.SH)业绩预告显示1-9月公司实现营业收入7.54亿
玻芯成玻璃基半导体特色工艺先导线项目开工
据消息，日前，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司举行玻璃基半导体特色工艺先导线项目开工仪式。
总投资12亿元，浙江鸿石光电微显示芯片项目开工
该项目落户于高新区城北高新园，项目总投资12亿元，总用地面积80亩，将建设年产1000万颗微显示芯片制造、封装生产能力的生产基地
3.15亿！和研科技计划投建半导体设备项目
2022年12月30日，国内半导体专用设备研发制造企业沈阳和研科技股份有限公司（以下简称“和研科技”）与沈北新区签约，该企业计划投资3.15亿在沈北兴建半导体产业项目
测试服务商「嘉兆电子」获数千万元B轮融资
未来很长的一段时间，国产替代依然是大陆的半导体产业发展的核心趋势。保持创业者的初心，才能够在面临复杂的环境下开拓前行。
剑指1.8纳米！英特尔发布半导体技术路线规划
在IEDM会议上，英特尔分享了它的工艺技术路线图和它对未来三到四年内将出现的芯片设计的设想。正如预期的那样，英特尔的下一代制造工艺--英特尔4和英特尔3--有望在2023年和2024年分别用于大批量制造（HVM）。
签6亿元投资协议，新益昌加注半导体
该项目主要建设一个半导体智能装备智能制造基地和一个集团研发中心（主要包括研发办公室；实验、检测、检验室）及配套设施，打造规模化、集群化、创新化、品牌化，具有自主知识产权、技术先进、有一定规模的半导体智能装备智能制造产业示范基地。
中国大陆首座板级高密系统封测工厂在蓉投产
4月26日，成都奕成科技有限公司（简称“奕成科技”）高端板级系统封测集成电路项目点亮投产仪式在成都高新西区举行。该项目的投产标志着中国大陆首座板级高密系统封测工厂正式进入客户认证及批量试产阶段
出资3720万美元，富士康母公司在印度成立芯片封装测试公司
鸿海集团（富士康母公司）1月17日发布公告，宣布将与印度HCL公司共同在印度成立一家芯片封装和测试合资企业
八部门：2025年底IPv6演进技术标准体系基本形成，部分重点方向的技术能力国际领先
《实施意见》提出，到2025年底，IPv6技术演进和应用创新取得显著成效，网络技术创新能力明显增强，“IPv6+”等创新技术应用范围进一步扩大，重点行业“IPv6+”融合应用水平大幅提升
通富微电完成收购京隆科技26%股权
据消息，通富微电2月13日晚间发布公告称，公司已于近日完成了对京隆科技（苏州）有限公司26%股权的收购交割。
中国科学院院士郝跃：第三代半导体的若干新进展
报告指出，第三代半导体具有优越的功率特性、高频特性、高能效和低损耗等特性，目前已经成为全球大国博弈的焦点。当前，第三代半导体技术发展面临诸多挑战，如高可靠性，要通过半导体器件与材料的产教融合创新研发使其大有作为。在细分领域形成中国真正的产业链，从而推动科技和产业的发展。
理想汽车：年产240万只碳化硅半桥功率模块研发及生产基地启动建设
作为中国新能源市场的创新者，理想汽车致力于解决用户的里程焦虑和充电焦虑，将形成增程电动产品线和超快充纯电产品线“双轮驱动”的产品格局。为确保超快充纯电车型的产品力，该系列车型将搭载基于碳化硅功率模块的800V高压电驱动系统，充分发挥第三代半导体耐高压、耐高温的特性，实现功率密度和系统效率等性能的大幅提升。
