据外媒,三星电子今日宣布,已采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,并计划于今年年底开始量产。
官方介绍称,通过使用最新开发的32Gb内存颗粒,无需硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组,相较于使用16Gb内存封装的128GB内存模组,功耗可降低约10%。
三星电子表示,基于最新推出的12纳米级32Gb内存,可以研发出实现1TB内存模组的解决方案,有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。未来还计划继续扩充大容量内存产品阵容,以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。