据消息，日前，重庆三安主设备进机仪式圆满结束，标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段。
2023年6月，意法半导体（ST）与三安光电宣布签署合作协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂，预计将于2028年全面落成。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。
据悉，三安意法碳化硅项目总规划投资约300亿元人民币，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币，将有力推动重庆打造第三代化合物半导体之都。
相关负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，也是收尾攻坚的重要阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。
