美光将投资150亿美元建美国首家内存制造厂

美光科技（Micron Technology Inc.）周四宣布，计划于2030年之前投资150亿美元，在爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。

据悉，这将是20年来在美国本土新建的第一家内存芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。在市场加速采用人工智能和5G技术的推动下，有分析认为，美光此举有助于确保美国国内供应汽车和数据中心等细分市场所需的领先内存产能。

这是美光在《芯片与科学法案》（以下简称“芯片法案”）通过后计划在美国进行的多项投资中的第一项，也是该公司未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立内存制造厂。

此外，凭借《芯片法案》提供的优惠，以及爱达荷州提供的激励措施和州长的支持，美光预计，到2030年，新工厂将创造超过1.7万个工作机会，其中包括近2000个为在美光科技的直接就业机会。

美国总统拜登于本月9日正式签署了价值2800亿美元的《芯片法案》，其中就有520多亿美元是针对半导体领域的。此前有消息称，全球最大的存储芯片巨头之一SK海力士也已计划在美国选址建立一家先进芯片封装工厂，并于明年第一季度左右破土动工。

拜登在一份最新声明中说：“美光今天宣布的消息，是美国的又一次重大胜利。我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”

有分析称，美光的投资计划有望重振美国的内存行业，未来十年内将美国生产的内存芯片份额从目前的2%提升到10%以上。

美光是美国第一大、全球第三大内存芯片公司，市场份额超过20%，不过主要生产并不在美国，而且主要竞争对手三星及SK海力士两家韩国公司就占据了全球75%的内存份额。

除了内存之外，美光也是全球领先的NAND闪存公司之一，不过相比韩国三星、日本铠侠、美国西数等公司，美光的份额大约只有10%。