未来半导体12月13日消息，近日西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司在北京签订战略合作框架协议：总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目正式落户泾河新城。
西咸新区党工委委员、泾河新城党委书记、管委会主任张宏伟，西安市驻京办副主任寻心乐，国家产学研激光技术中心副主任王志勇，天石基金管理（深圳）有限公司总经理叶欣等出席活动并鉴签。江西誉鸿锦材料科技有限公司董事长闫怀宝、泾河新城招商二部部长刘钊分别代表双方签署合作协议。
据介绍，西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目将以第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）为核心内容，建立第三代化合物半导体研发中心，开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后，可实现年产值500亿元，实现年上缴税收约25亿元；同时，也将进一步带动相关上下游产业链配套企业入驻，全力助推氮化镓电子器件和高端光电器件等在泾河新城实现“中国智造”。以此次签约为标志，泾河新城将在产业布局上形成光伏、新能源新材料、半导体芯片三大产业鼎足之势。
近年来，在国内外顶级研究机构和团队的支持协助下，江西誉鸿锦材料科技有限公司专注于GaN电子器件研发，已掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，拥有丰富的工艺经验，技术水平已达到世界先进水平。
此次氮化镓新材料项目的签约落地，是泾河新城在新材料基地建设上的又一个“大手笔”力作，将助力西咸新区和西安市新材料产业发展和产业集群建设，为秦创原创新驱动平台高质量建设再添新动能。
