三星：史上最大芯片长平泽园区P3芯片生产线已正式运营
三星平泽园区已成为该公司最重要的半导体制造中心。这里的各种制造设施可用于制造从13纳米DRAM到5纳米制程工艺以下的各种芯片产品。在平泽290万平方米的园区内，三星电子将继续增添设施。三星已经开始准备开辟另一条新生产线P4，以进一步提高其生产能力
通富超威：高性能运算芯片封测及先进封装产业化项目奠基，计划2023年首期建成投产
该项目是通富微电在园区深耕布局的又一重大项目，将重点围绕“高性能运算芯片封测及先进封装产业化”两大方向，运用倒装封装、多芯片封测等先进封测技术，为高性能计算类集成电路提供封测整体解决方案。
安捷利美维：总投资73.8亿元高端封装基板及HDI生产建设项目开工
总投资73.8亿元的加安捷利美维高端封装基板及高端HDI生产能力建设项目开工活动，将建成集研发、制造、销售、服务于一体的集成电路封装基板制造基地。
颀中科技：10.6亿先进封装测试生产基地项目开工，预计明年底建成投产
该项目的实施，不仅有助于大幅提升公司集成电路先进封测的生产及技术实力，从而解决显示驱动芯片国产化的“最后一公里”，同时也为进一步加强安徽省及合肥市集成电路和半导体显示产业链的群聚效应发挥重要作用。
格科微：12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目投片成功，即将进入大规模量产阶段
9月2日，格科微有限公司发布公告称，公司募投项目“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目”BSI产线投片成功，首个晶圆工程批取得超过95%的良率，标志着BSI产线顺利进入风险量产，即将进入大规模量产阶段。该项目投产后，公司将具备12英寸BSI晶圆后道工序生产能力，将有力保障12英寸晶圆的供应。实现对关键制造环节的自主可控，缩短产品交期，把握中高阶CIS市场持续增长的巨大红利，增厚公司的盈利空间，提升公司在整个行业内的竞争能力与市场地位。
美光将投资150亿美元建美国首家内存制造厂
这是美光在《芯片与科学法案》（以下简称“芯片法案”）通过后计划在美国进行的多项投资中的第一项，也是该公司未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立内存制造厂。
TCL科技：25亿元进军多晶硅，推进产业链战略协同
为实现产业链战略协同，强化供应链稳定性，TCL科技（000100.SZ）全资子公司天津硅石拟出资18亿元与江苏中能硅业科技发展有限公司设立新公司开展约10万吨颗粒硅项目，还将对内蒙古鑫华半导体科技有限公司增资7.2亿元开展1万吨电子级多晶硅项目。多晶硅需求持续增长TCL科技所进军的多晶硅，是硅片产业的上游原材料，在能源革命的浪潮下，其在光伏产业中占有举足轻重的地位。同时，多晶硅也是集成电路最为关键
