据韩媒报道，7月13日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。
据悉，混合键合采用无凸块的铜-铜直接键合方式，可显著缩小各层DRAM Die间距，在有限高度内实现16层以上堆叠，同时降低发热量，被视为下一代高带宽存储器（HBM）制造的关键技术。
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据韩媒报道，7月13日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。
据悉，混合键合采用无凸块的铜-铜直接键合方式，可显著缩小各层DRAM Die间距，在有限高度内实现16层以上堆叠，同时降低发热量，被视为下一代高带宽存储器（HBM）制造的关键技术。