据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
报道称，三星下一代 V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为该代产品将调整 NAND 结构，从目前的 CoP 外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。这一改动可防止 NAND 堆叠过程中对外围电路结构的破坏，还能实现较 CoP 方案高出60%的位密度。2027年的 V11 NAND 层数进一步增长，I/O速率可提升50%，未来有望实现千层堆叠。
