据外媒报道，近期，铠侠（Kioxia）公布了其3D NAND闪存技术路线图，目标在2027年实现1000层堆叠。
3D NAND层数普遍从2014年的24层增加到2022年的238层，八年间增长了10倍。铠侠表示，以每年1.33倍的增长率，到2027年将可达到1,000层的水平。
然而，层数越多意味着蚀刻垂直连接孔（硅通孔或 TSV）就越困难，因为 TSV 尺寸可能会扭曲，通道材料层也会变形。更深的通孔会导致更高的沟道电阻，堆叠层内的电气连接也会受到损害，因为电流的传输路径更长，从而导致电阻影响电流。铠侠正在考虑将字线材料从钨改为钼，以降低电流电阻和相关的延迟时间。
报道称，铠侠在去年推出了BiCS8 3D NAND闪存，为218层。利用了1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）的四个平面，通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了50%以上。若铠侠想在2027年实现1000层堆叠，可能需要过渡到五层单元（PLC）。
值得一提的是，三星曾在上个月表示，计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，还将引入新型铁电材料应用于NAND闪存芯片的制造上，以实现这一目标。
