6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
该项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
