意法半导体宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数，其在能效上提升了50%，数字密度上提升了3倍。
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意法半导体宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数，其在能效上提升了50%，数字密度上提升了3倍。