据路透社报道，美国西得克萨斯州法院陪审团12月5日公布的一项裁决显示，欧洲芯片制造商意法半导体因一项晶体管技术专利侵权，需向普渡大学赔偿3250万美元。
该陪审团认同普渡大学的观点，认为意法半导体在电动汽车充电器和其他产品中使用的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）侵权了普渡大学在“高压电源应用”中使用的晶体管专利。
意法半导体的一位发言人称：“公司将对判决提出上诉。”
普渡大学的律师Michael Shore表示，不利于意法半导体的证据是“压倒性的”，该公司可能不得不在2026年专利到期之前支付超过1亿美元的专利费。
据悉，MOSFET通常用于电子产品中，以控制和放大电流。
该项纠纷可以追溯到2021年，当时普渡大学董事会对意法半导体提起诉讼，指其用于太阳能暖通空调系统、汽车充电站和其他可再生能源产品中的MOSFET侵权了两项与晶体管技术相关的专利。
普渡大学的专利涉及高压电源应用的半导体和MOSFET技术创新，由前普渡大学教授James Cooper和他当时的学生Asmita Saha申请，并于2006年获得了专利保护。
近年来，随着半导体企业的增多，专利的分量也在与日俱增，对专利的保护意识也明显加强。现在，一颗芯片往往由数十亿甚至上百亿个晶体管组成，每个晶体管或者组件都可以申请专利。据相关数据，2022年全球半导体专利申请量达到创纪录的6万9190项，比5年前的5943项增长了380%，比2020/21年的62770件增加了9%。
如今，专利已经不仅是厂商自身争夺市场的利器，更是全球科技行业的竞争关键。谁能率先申请专利，谁就拥有更多的话语权和主动权。在当下全球各国自主可控的发展态势下，专利将是科技业内之间无形的较量。
