消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
慕尼黑华南电子生产设备展重磅推出半导体封装及制造展区
慕尼黑华南电子生产设备展顺应发展趋势，倾情打造半导体封装及制造展区。主题专区将集中展示SiP系统级封装、FOPLP扇出型面板级封装、IGBT模块封装、mini LED背光模组COB工艺等板块，为电子智能制造带来丰富的整体创新解决方案
SK海力士：将CIS事业部转为面向AI的存储器领域
3月6日，SK海力士表示，将结束图像传感器(CIS)事业部门，并将数百名相关人员统一转换为人工智能(AI)存储器领域。
是德科技109亿收购案，预计明年4月前完成
自是德科技官网获悉，近日，是德科技（Keysight Technologies）发布声明，宣布其对思博伦通信（Spirent Communications）的收购已获得关键监管批准，并正在快速推进。
超100万颗芯片将发货 英伟达今年在华销售额预计将达120亿美元
芯片咨询公司SemiAnalysis 7月4日报告预估，今年英伟达有望在中国销售价值约120亿美元的人工智能芯片。黄仁勋曾表示，希望借助新的芯片使得英伟达在中国的业务实现最大化。英伟达有望在未来几个月内在中国交付超过100万颗定制版H20芯片，这些芯片的设计不受美国对向中国客户销售人工智能处理器的限制。据悉，每颗H20芯片的价格在12000至13000美元之间。
HANMI宣布成立HBM4生产设备研发团队
自韩美半导体官网获悉，6月5日，韩美半导体（HANMI）宣布成立一个名为Silver Phoenix的团队，致力于生产第6代高带宽内存（HBM）设备“TC Bonder 4”。
雄安新区未来芯片研究院揭牌，聚焦RISC-V领域
据消息，日前，雄安新区未来芯片创新研究院、中国移动智能卡生态创新联盟——雄安智芯科创实验室正式揭牌。同时，中国移动旗下专业芯片公司芯昇科技在雄安新区正式揭牌。
三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术
三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。
