SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit），分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC（Muti Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。
SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。”
公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形*材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。
