关于征集“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划2024年度项目指南建议的通告
面向国家高性能芯片的重大战略需求，针对集成芯片的重大基础问题，自然科学基金委2023年启动了“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划，旨在对集成芯片的数学基础、信息科学关键技术和工艺集成物理理论等领域的攻关，促进我国芯片研究水平的提高，为发展芯片性能提升的新路径提供基础理论和技术支撑
格芯起诉IBM！传：2nm泄密日本
4月19日，美国半导体代工大公司格罗方德（简称格芯）宣布起诉IBM非法使用知识产权和商业机密。格芯于2015年收购了IBM的半导体部门，但IBM此后将先进的2nm技术泄密给了日本高端芯片企业Rapidus和美国英特尔
SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM
自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
阿斯麦美股暴涨逾9% 跃居第二大欧洲上市公司
周三（6月5日）美股盘中，三大指数集体上扬，其中纳斯达克综合指数涨超1.6%。芯片板块明显走强，费城半导体指数涨近3.6%。
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
三位华尔街分析师拉响警报：“英伟达牛市”很快会结束！
作为人工智能（AI）热潮最大的赢家，英伟达的股价一路涨得“风生水起”，今年迄今的涨幅已高达83%。然而，根据几位华尔街分析师的说法，英伟达最好的日子可能已经过去了，今年可能会开始“磕磕绊绊”。
SK海力士拟投资近500亿元建设芯片工厂
自SK Hynix官网获悉，7月26日晚间，SK海力士发表声明，宣布将投资约9.4万亿韩元（约合人民币492.56亿元）在韩国龙仁市建设当地首座Fab厂和业务设施。
台积电A14P制程有望启用High-NA EUV光刻技术
据台媒报道，台积电最快在2028年推出的A14P制程中引入High-NA EUV光刻技术。
