优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
ASML荷兰扩建计划获表决通过
据报道，当地时间周二，荷兰埃因霍温市议会投票通过了ASML在该市北部进行重大扩张的计划。该委员会表示，此次扩张计划可容纳多达2万名新员工。
SK子公司将斥约37亿元生产芯片用气体
据报道，日前，SK Materials Airplus宣布未来十年内将投资7000亿韩元（约合人民币37亿元）建设生产气态氮(GN2)和洁净干空气(CDA)的工厂。
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
沪硅产业132亿扩产300mm半导体硅片 携手大基金二期共筑国产大硅片新篇章
6月11日晚间，沪硅产业（688126.SH）发布公告称，公司拟投资建设集成电路用300mm硅片产能升级项目（三期），预计项目总投资约132亿元。本次产能升级旨在积极响应国家半导体产业发展战略，加速推进公司长远发展战略规划，抢抓半导体行业发展机遇，持续扩大公司集成电路用300mm硅片的生产规模，提升公司全球硅片市场占有率与竞争优势。
中国贸促会会长任鸿斌会见美国半导体行业协会总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗
据消息，中国贸促会会长任鸿斌在京会见美国半导体行业协会总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗一行，双方围绕中美经贸关系、深化中美工商界在半导体领域务实合作及链博会等议题探讨交流。
消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
消息称三星1b nm（12nm 级）DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。
