日月光Q1营收超1300亿元新台币 创同期次高
日月光投控4月9日公布3月合并营收456.61亿元新台币（单位下同），较2月环比增长14.9%，较去年同期下滑0.2%。
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
总投资10亿元，先进制程半导体设备研发生产及总部项目签约
该项目总投资10亿元，拟设立研发生产基地及总部，研发生产用于半导体产线的先进封装设备
比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工
11月28日，比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。这是滨海新区2023年重大项目竣工投产仪式上投资总额最大的项目
台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群
5月28日，台亚半导体宣布经股东大会决议，通过了此前提出的8英寸GaN（氮化镓）业务分割计划，并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时，台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理，负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。
三星西安芯片厂开工率恢复至70%
三星电子在西安的晶圆厂开工率已恢复到70%左右。该工厂是三星电子在海外唯一一家生产存储芯片的工厂，占其NAND总产出的40%。
芯联集成收购芯联越州72.33%股权，发力功率半导体
据消息，芯联集成6月21日发布晚间公告称，公司拟通过发行股份及支付现金的方式收购控股子公司芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司（以下简称“芯联越州”）剩余72.33%股权。交易完成后，芯联越州将成为公司全资子公司。
诺基亚近170亿元收购光学半导体供应商英飞朗
通信技术大厂诺基亚（Nokia）与先进光学半导体供应商英飞朗（Infinera）共同宣布双方达成了一项最终协议。
三星电子任命半导体业务新负责人
三星电子公司已更换半导体业务负责人，任命一位存储芯片资深人士来领导，努力在人工智能（AI）领域追赶SK海力士。
台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单
据消息，继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后，传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意，取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产。
果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行
7月1日，上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高，在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时，也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
台积高雄第三座2纳米厂来了
台积电高雄第一座2纳米厂施工中，第二座2纳米厂也已启动，第三座高雄P3厂用地17.22公顷，24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区，未来再通过环评、土污解除列管之后，即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。
国内首台40nm明场纳米图形晶圆缺陷检测设备发布
据消息，近日，天准科技参股的苏州矽行半导体技术有限公司（下文简称“矽行半导体”）宣布，公司面向40nm技术节点的明场纳米图形晶圆缺陷检测设备TB1500已完成厂内验证，标志着国产半导体高端检测设备实现了新的突破。
神盾宣布暂缓与Curious股权交换
7月26日晚间，芯片设计公司神盾集团宣布将在维持股东权益最高原则下，暂缓Curious股权交换。
